公开(公告)号：CN101548383A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780045082.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  高桥健治

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3244

Abstract: 提供一种可被长期稳定地驱动并可显示具有高清晰度和较少图像缺陷的图像的显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：发光层；夹着发光层的一对电极；用于通过所述一对电极驱动发光层的、具有活性层的晶体管；和具有扫描电极线、信号电极线和第一绝缘层的矩阵布线部分，其中，所述活性层包括含有In和Zn并且至少一部分为非晶的氧化物，并且，其中，含氢量低于3×1021原子/cm3的第二绝缘层被设置在活性层和第一绝缘层之间。

公开(公告)号：CN1194422C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN96122801.6

申请日：1996-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  斋藤惠志

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/206 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造光电器件的方法，该光电器件包括：由衬底，反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，该结构在底座上至少重复一次，该方法包括：(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；(b)步骤(a)后，将衬底温度降低至100度或更低；(c)步骤(b)后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。

公开(公告)号：CN1147007C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99105944.1

申请日：1999-03-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 东川诚 ,  佐野政史

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509

Abstract: 形成微晶硅系列薄膜的工艺包括：在真空室中与电极相对设置长衬底。同时纵向传送长衬底。使用具有50MHz-550MHz范围内的振荡频率的高频功率使电极和长衬底之间辉光放电在长衬底上淀积微晶硅系列薄膜，其中，作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述长衬底的法线，并且它们与所述长衬底的间隔全部或部分地不同，本发明还公开了适于执行所述工艺的装置。

公开(公告)号：CN1140932C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN98119801.5

申请日：1998-07-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C25D9/00 ,  C25D9/08 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/044 ,  H01L31/048 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 提供一种光电器件，包括基体上按序迭层的背反射层，氧化锌层和半导体层，其中氧化锌层包括一种碳水化合物。碳水化合物含量优选范围为1μg/cm3-100mg/cm3。由此，氧化锌层可以无异常生长地形成，具有粗糙表面，以取得足够的光约束效应，光电器件在耐久性和光电转换效率方面得到了改善。

公开(公告)号：CN1154003A

公开(公告)日：1997-07-09

申请号：CN96122801.6

申请日：1996-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  斋藤惠志

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/206 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造光电器件的方法，该光电器件包括：由衬底、反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，该结构在底座上至少重复一次，该方法包括：(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；(b)步骤(a)后，将衬底温度降低至100度或更低；(c)步骤(b)后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。

公开(公告)号：CN102945857B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210322291.7

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

公开(公告)号：CN101960571B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980107330.8

申请日：2009-03-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  清水久惠 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  高井康好 ,  川崎岳彦 ,  金子典夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633

Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。

公开(公告)号：CN101595564B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。

公开(公告)号：CN101305468B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200680041556.9

申请日：2006-11-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 饗场利明 ,  佐野政史 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。

公开(公告)号：CN101595564A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。