公开(公告)号：CN101663762A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012789.5

申请日：2008-04-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  岩崎达哉 ,  渡边壮俊 ,  田透

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。

公开(公告)号：CN101506986A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031168.7

申请日：2007-07-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  田透 ,  加地信幸 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10－3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。

公开(公告)号：CN101112789A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710139105.5

申请日：2007-07-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今田彩 ,  田透

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/42 ,  G11B5/84 ,  H01L21/027

CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  Y10S977/887

Abstract: 一种用于制造图案化结构的工艺，包括：压印第一图案，其通过抵着压印工作层来压下表面上具有凸起－凹陷配置的压模；以及，压印第二图案，其通过将压模从第一图案的位置相对位移到该压印工作层上的另一位置，然后抵着压印工作层压下该压模。

公开(公告)号：CN101057333A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038303.1

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 田透 ,  岩崎达哉 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用非晶氧化物的新的发光器件。该发光器件具有位于第1电极(77)和第2电极(79)之间的发光层(78)，和有源层(72)为非晶氧化物的场效应晶体管。

公开(公告)号：CN105700002B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201510901200.9

申请日：2015-12-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田透 ,  澁谷吉纪

IPC: G01T1/20

Abstract: 本发明涉及放射线检测装置及放射线检测片。该放射线检测装置包括：被配置为将放射线转换为光的闪烁体层；包括被配置为检测从闪烁体层发射的光的多个光传感器的光传感器层；以及被配置为反射从闪烁体层发射的光的反射层。闪烁体层被布置在光传感器层和反射层之间。以下条件被满足：0.375≤(100‑x)/(100‑y(％))

公开(公告)号：CN103502390B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201280015583.4

申请日：2012-03-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大桥良太 ,  安居伸浩 ,  田透

IPC: C09K11/61 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明提供表示高空间分辨力的能够抑制光散射的多孔闪烁体晶体。该多孔闪烁体晶体包括多孔结构，该多孔结构包括空隙，其中该多孔结构是其中形成有空隙的相分离结构并且包括构成该相分离结构的共晶组成的材料，并且该多孔结构中至少一个空隙在与该多孔闪烁体晶体的主面垂直的方向上延伸。

公开(公告)号：CN101263605B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200680033996.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  田透 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。

公开(公告)号：CN103876761A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410089754.9

申请日：2009-10-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 长井健太郎 ,  田透 ,  大内千种 ,  伊藤英之助

IPC: A61B6/00 ,  G01N23/04

CPC classification number: G06T7/0002 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/484 ,  G01J9/02 ,  G01N23/04 ,  G01N23/20075 ,  G01N2223/401 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/06 ,  G21K2201/067

Abstract: 公开了能够至少通过单个成像操作获取被检体的微分相位图像或相位图像的X射线成像装置和X射线成像方法。X射线成像装置包括相位光栅（130）、吸收光栅（150）、检测器（170）和算术单元（180）。算术单元（180）执行通过对于由检测器获取的波纹图案的强度分布的傅立叶变换来获取空间频率谱的傅立叶变换处理。算术单元还执行使与载波频率对应的谱与由傅立叶变换处理获取的空间频率谱分离并然后使用逆傅立叶变换来获取微分相位图像的相位恢复处理。

公开(公告)号：CN103687927A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280036274.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大桥良太 ,  安居伸浩 ,  田透

IPC: C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: C09K11/025 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C09K11/7774 ,  G01T1/202 ,  G21K4/00 ,  G21K2004/06

Abstract: 提供一种用于X射线CT扫描仪等中的放射线检测的闪烁体，该闪烁体具有单向相分离结构，该单向相分离结构具有光学波导功能，这消除了形成用于防止串扰的间隔物的需要。闪烁体而不是间隔物等具有波导功能。该闪烁体包含：第一晶相，其包含具有单向性的多个柱晶；以及第二晶相，用于覆盖第一晶相的侧面。第一晶相包含钙钛矿型氧化物材料和作为发射中心的稀土元素，该钙钛矿型氧化物材料包含从由Lu和Gd组成的组中选择的至少一种元素。第一晶相通过放射线激励发光。

公开(公告)号：CN103502390A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280015583.4

申请日：2012-03-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大桥良太 ,  安居伸浩 ,  田透

IPC: C09K11/61 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明提供表示高空间分辨力的能够抑制光散射的多孔闪烁体晶体。该多孔闪烁体晶体包括多孔结构，该多孔结构包括空隙，其中该多孔结构是其中形成有空隙的相分离结构并且包括构成该相分离结构的共晶组成的材料，并且该多孔结构中至少一个空隙在与该多孔闪烁体晶体的主面垂直的方向上延伸。