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公开(公告)号：CN107039239A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611069822.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G77/04 , C08G77/455 , C08G77/52 , C09J183/04 , C09J183/10 , C09J183/14 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L21/02008 , H01L21/02013 , H01L21/02016 , H01L21/568
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。
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公开(公告)号：CN105470188A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510624839.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/02 , C09J183/04
Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
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公开(公告)号：CN115699251A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041297.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J179/08 , C09J183/04 , C09J201/00
Abstract: 本发明为一种暂时粘合方法，其为经由暂时粘合层将具有包含电路的第一主面和与所述第一主面为相反侧的应加工的第二主面的晶圆暂时粘合在支撑体上的方法，其特征在于，经由暂时粘合层，进行所述晶圆的所述第一主面与所述支撑体的暂时粘合，所述暂时粘合层包含具有多个柱状结构的干式粘合性纤维结构体。由此，可提供一种能够将晶圆与支撑体以充分的强度暂时粘合且能够容易地将晶圆从支撑体上剥离，并且能够反复进行暂时粘合及剥离的暂时粘合方法。
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公开(公告)号：CN106467715B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201610682302.0
申请日：2016-08-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/04 , C09J153/02 , C09J183/07 , C09J183/05 , C09J163/00 , C09J133/12 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L23/10
Abstract: 本发明涉及晶片加工用粘接材料、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法，具体提供晶片加工用粘接材料、通过该粘接材料使晶片和支承体贴合而成的晶片层叠体、及使用其的薄型晶片的制造方法；晶片加工用粘接材料能够抑制将晶片和支承体剥离时成为污染源的颗粒的产生，具有耐热性，易于暂时粘接且在高度差基板上也能以均匀的膜厚形成膜，对TSV形成工序、晶片背面配线工序的工序适合性高，进而对如CVD等的晶片热工艺耐性优异，剥离也容易，能够提高薄型晶片的生产率。一种晶片加工用粘接材料，其特征在于，其为用于将晶片和支承体临时贴装的含有有机硅系粘接剂的粘接材料，其含有抗静电剂。
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公开(公告)号：CN110391167A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910299633.X
申请日：2019-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J183/07 , C09J183/05
Abstract: 本发明为以可剥离的方式在支撑体上层叠暂时粘合材料层且该暂时粘合材料层以可剥离的方式层叠于表面具有电路面且需对背面进行加工的带电路基板的表面的、带电路基板加工体，其特征在于，暂时粘合材料层由热固化性硅氧烷聚合物层(A)形成，聚合物层(A)在固化后使其从支撑体上表面剥离时的剥离力在180°剥离试验中为10～500mN/25mm，且在固化后使其从带电路基板上表面剥离时的剥离力在180°剥离试验中为50～1000mN/25mm。由此提供能够构建简易且低成本的加工，对形成TSV、基板背面布线工序的工序适应性高，热加工耐性优异，能够提高薄型基板的生产率的带电路基板加工体及带电路基板的加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105960697B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201580006451.9
申请日：2015-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J183/04 , H01L21/304
CPC classification number: C09J183/04 , B32B27/283 , C08G77/04 , C08G77/12 , C08G77/50 , C08L83/04 , C09J183/10 , C09J183/14 , C09J2203/326 , H01L21/02255 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L2221/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , C08L83/00
Abstract: 本发明是一种晶片加工体，其是在支撑体上形成有暂时粘合材料层，且在暂时粘合材料层上积层有晶片而成，所述晶片在表面具有电路面且应加工背面，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘合材料层具备复合暂时粘合材料层，所述复合暂时粘合材料层具有以下三层结构：第一暂时粘合层，可剥离地粘合于所述晶片的表面，由热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成；第二暂时粘合层，可剥离地积层于该第一暂时粘合层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘合层，可剥离地积层于该第二暂时粘合层，并可剥离地粘合于所述支撑体，由热固化性硅氧烷聚合物层(C)构成。由此，提供一种晶片加工用暂时粘合材料、及能够提高薄型晶片的生产率的晶片加工体，所述晶片加工用暂时粘合材料暂时粘合和剥离较容易，且即便在剥离前的薄型晶片被切断的状态下，仍然可以容易地剥离。
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公开(公告)号：CN106104765B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580014475.9
申请日：2015-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/06 , C09J201/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体，暂时粘着和剥离较为容易，CVD耐受性优异，能够提高薄型晶片的生产率。
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公开(公告)号：CN106104765A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014475.9
申请日：2015-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/06 , C09J201/00 , H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/26 , B32B27/283 , B32B37/12 , B32B2037/1269 , B32B2250/03 , B32B2264/00 , B32B2264/02 , B32B2307/732 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/08 , B32B2457/14 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C09J7/201 , C09J7/203 , C09J7/30 , C09J7/401 , C09J7/403 , C09J7/50 , C09J183/04 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2224/13147 , H01L2924/0715 , H01L2924/10253
Abstract: 本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体，暂时粘着和剥离较为容易，CVD耐受性优异，能够提高薄型晶片的生产率。
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公开(公告)号：CN113853423B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080036909.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C11D1/62
Abstract: 基板用临时粘接剂的清洗液包含四丁基氟化铵、二甲基亚砜、和溶解度参数为8.0以上且10.0以下、具有杂原子的液态化合物。优选在四丁基氟化铵、二甲基亚砜和液态化合物的合计100质量％中以1质量％以上且15质量％以下的量含有四丁基氟化铵。另外，优选在四丁基氟化铵、二甲基亚砜和液态化合物的合计100质量％中以5质量％以上且30质量％以下的量含有二甲基亚砜。
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公开(公告)号：CN115485814A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031672.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/30 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/06
Abstract: 本发明提供包含含有无官能性有机聚硅氧烷的光固化性有机硅树脂组合物的、用于将晶片临时粘接于支撑体的晶片加工用临时粘接剂、晶片加工体和使用晶片加工用临时粘接剂的薄型晶片的制造方法。
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