晶片层合体及其制备方法

    公开(公告)号:CN107919315B

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN201710941396.3

    申请日:2017-10-11

    IPC分类号: H01L21/683 B32B7/12 B32B37/12

    摘要: 提供了允许载体与晶片之间容易结合、允许晶片容易从载体脱层、能够提高薄晶片的生产率并且适合于生产薄晶片的晶片层合体以及制备所述晶片层合体的方法。所述晶片层合体包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和以使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层的方式层合的晶片。所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂涂料的树脂层B。所述树脂层A由包含具有稠合环的重复单元的树脂组成,和树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。

    晶片加工体以及晶片加工方法

    公开(公告)号:CN107039239B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN201611069822.0

    申请日:2016-11-25

    IPC分类号: H01L21/02 H01L21/56

    摘要: 本发明提供一种晶片加工体,其材料选择范围广,将加工后的晶片分离、取出的步骤简单,能满足各种工序上的要求,并可提高薄型晶片的生产率。为此,提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层,在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体,其特征在于,所述暂时粘合材料层包括:第一暂时粘合层,由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成;以及,第二暂时粘合层,由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成;其中,所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D),所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

    半导体器件、制备方法和层合体
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108666224A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810254959.6

    申请日:2018-03-27

    IPC分类号: H01L21/56 H01L23/29

    摘要: 提供了半导体器件,其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成,所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂,所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1-500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性,容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。

    片材、薄化晶片处理用片材、薄型晶片的处理方法及薄型元件的处理方法

    公开(公告)号:CN117178348A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280028943.8

    申请日:2022-04-05

    IPC分类号: H01L21/301

    摘要: 本发明是一种片材,其特征在于,在表面上具有高度为50微米至500微米、直径为10微米至1mm的圆柱状或半圆柱状、或者长度为100微米至1mm、粗细为10微米至1mm的棱柱状的多个结构体,且在表面上具有所述多个结构体以等间隔配置的结构、或者所述多个结构体以间隔的最大值小于间隔的最小值的3倍的方式排列的结构,且所述片材由热硬化性树脂成型而成。由此,可提供一种可容易地对已经薄化的晶片或利用模制密封的再配置构件进行处理且耐化学品性优异的片材、包含所述片材的薄化晶片处理用片材、以及使用所述薄化晶片处理用片材的薄型晶片的处理方法及薄型元件的处理方法。