基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN114096633A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202080049294.0

    申请日:2020-07-09

    Abstract: 本发明为一种基板加工用临时粘合材料,其用于将应加工背面的基板临时粘合于支撑体,所述基板加工用临时粘合材料的特征在于,所述临时粘合材料相对于总质量100份含有10质量份以上100质量份以下的含硅氧烷键聚合物,该含硅氧烷键聚合物的利用GPC测定的重均分子量为3,000以上700,000以下,所述临时粘合材料具有第一临时粘合材料层和与所述第一临时粘合材料层不同的第二临时粘合材料层,所述第一临时粘合材料层与所述第二临时粘合材料层中的至少一层的剪切粘度的最小值在130℃以上250℃以下的范围内为1Pa·s以上10,000Pa·s以下。由此,提供一种基板加工用临时粘合材料、及使用该临时粘合材料的层叠体的制造方法,该基板加工用临时粘合材料容易将基板与支撑体临时粘合及剥离,临时粘合材料层形成工序快,尺寸稳定性、对热处理的耐性也优异,能够提高薄型基板的生产率。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN106104765B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201580014475.9

    申请日:2015-03-03

    Abstract: 本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料,其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上,所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于,具备复合暂时粘着材料层,所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构:第一暂时粘着层,其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上,由非硅酮热塑性树脂层(A)构成;第二暂时粘着层,其积层于该第一暂时粘着层上,由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成;以及,第三暂时粘着层,其积层于该第二暂时粘着层上,并能够可剥离地粘着于所述支撑体上,由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此,提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法,所述晶片加工体,暂时粘着和剥离较为容易,CVD耐受性优异,能够提高薄型晶片的生产率。

    半导体器件、制备方法和层合体

    公开(公告)号:CN108666224A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810254959.6

    申请日:2018-03-27

    Abstract: 提供了半导体器件,其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成,所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂,所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1-500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性,容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。

    晶片层合体及其制备方法

    公开(公告)号:CN107919315B

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN201710941396.3

    申请日:2017-10-11

    Abstract: 提供了允许载体与晶片之间容易结合、允许晶片容易从载体脱层、能够提高薄晶片的生产率并且适合于生产薄晶片的晶片层合体以及制备所述晶片层合体的方法。所述晶片层合体包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和以使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层的方式层合的晶片。所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂涂料的树脂层B。所述树脂层A由包含具有稠合环的重复单元的树脂组成,和树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。

    用于生产薄晶片的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110875235A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910826854.8

    申请日:2019-09-03

    Abstract: 用于生产薄晶片的方法包括:通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离,所述晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和以其表面层合的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片;和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除;其中粘合剂层从支持体侧依序仅包括具有遮光性的树脂层A和包括热固性有机硅树脂或非有机硅热塑性树脂的树脂层B。

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