公开(公告)号：CN102449737A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080010051.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 罗伯特·M·法雷尔 ,  迈克尔·伊萨 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  中村秀治

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。

公开(公告)号：CN101194365B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680013748.9

申请日：2006-02-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 奥雷利安·J·F·戴维 ,  克洛德·C·A·魏斯布什 ,  史蒂文·P·登巴尔斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明揭示一种具有优化的光子晶体提取器(64)的高效且可能高度定向的发光二极管(LED)。所述LED由以下组成：衬底(28)；生长在所述衬底上的缓冲层(30)(如果需要的话)；包含发射物质的活性层(32)；一个或一个以上光学限制层，其定制LED中所导引模式(40)的结构；和一个或一个以上衍射光栅，其中所述衍射光栅是二维光子晶体提取器。可去除所述衬底，且可在所述缓冲层、光子晶体和活性层上沉积金属层，其中所述金属层(42)可充当镜面、电触点和/或有效的衍射光栅。

公开(公告)号：CN101845670A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010111379.5

申请日：2006-03-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 特洛伊·J·贝克 ,  本杰明·A·哈斯克尔 ,  保罗·T·菲尼 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

公开(公告)号：CN101194365A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680013748.9

申请日：2006-02-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 奥雷利安·J·F·戴维 ,  克洛德·C·A·魏斯布什 ,  史蒂文·P·登巴尔斯

IPC: H01L29/22

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明揭示一种具有优化的光子晶体提取器(64)的高效且可能高度定向的发光二极管(LED)。所述LED由以下组成：衬底(28)；生长在所述衬底上的缓冲层(30)(如果需要的话)；包含发射物质的活性层(32)；一个或一个以上光学限制层，其定制LED中所导引模式(40)的结构；和一个或一个以上衍射光栅，其中所述衍射光栅是二维光子晶体提取器。可去除所述衬底，且可在所述缓冲层、光子晶体和活性层上沉积金属层，其中所述金属层(42)可充当镜面、电触点和/或有效的衍射光栅。