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公开(公告)号：CN113607511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片待分析样品，可以增大功率芯片截面的染色面积，增强芯片截面的染色效果，有利于功率芯片结构的准确判断。
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公开(公告)号：CN118921417A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410960782.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设备数据记录方法、设备数据采集模块和控制器，所述设备包括通信总线，所述方法包括：响应数据记录指令，进行协议匹配；在协议匹配成功的情况下，对通信总线上的协议帧进行解析以记录协议数据；在协议匹配不成功或协议帧解析失败的情况下，采用信号波形录制方式记录通信总线上的通信信号；对协议数据和通信信号进行存储。本发明的数据记录方法，能够准确还原设备运行过程中信息交互内容，方便电力部门进行故障跟踪溯源，也可记录设备程序升级、故障插件板更换、软件故障等异常信息，为设备可靠性提供评价数据。
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公开(公告)号：CN113607511B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片
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公开(公告)号：CN115904915A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310068013.1
申请日：2023-02-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片功能验证系统、方法、存储介质及处理器，属于芯片测试技术领域。所述芯片功能验证系统包括：一个或多个分布式处理器，分别位于一个或多个测试位处，且分别被配置有被测芯片接口，用于测试经由该被测芯片接口接入的被测试芯片的功能；主控处理器，经由第一CAN总线与所述一个或多个分布式处理器相连，用于经由该第一CAN总线发送控制所述一个或多个分布式处理器执行测试的指令以及接收并汇总各分布式处理器发送的测试结果。本发明的芯片功能验证系统可以支持多芯片并行测试，且能够有效消除测试指令和测试信号的传输时延。
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公开(公告)号：CN115356606A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210929159.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种隔离器件耐压测试的装置、制造方法及耐压测试的方法，所述装置包括：一对夹具、PCB板、金属和底座；所述一对夹具固定于所述底座上；每个夹具包括上夹板和下夹板，所述下夹板上设置所述PCB板，所述PCB板上设置所述金属；其中，当隔离器的两侧端子分别接触所述金属短接时，所述隔离器与所述底座之间为空气隔开。本公开提供的装置，隔离器与底座之间由空气隔开，利用空气绝缘性较好的原理，可以大大提高隔离器耐压测试的上限，防止在隔离器测试过程当中，因测试工装自身耐压不足产生闪络、火花等击穿现象，从而可以在较高的测试电压下测试隔离器，能够更加全面的评估隔离器的性能指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114545139A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210365325.4
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种测试装置及方法，该测试装置包括：至少一组测试模块，每组测试模块均设有接口，用于接入待测器件；每组测试模块之间为并联连接；设置模块，用于设置所述待测器件的工作温度及输入测试信号至所述测试模块；分析模块，用于根据所述测试模块的输出信号确定所述待测器件的性能参数。该测试装置能够有效评估器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114397562A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210296257.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片EMC抗扰度自动测试方法及系统，属于芯片测试技术领域。所述方法包括：获取待测芯片参数信息；基于所述待测芯片参数信息确定芯片的初始测试参数；基于对应的测试参数，进行芯片多轮测试，直到触发预设截止规则，停止芯片测试，输出测试结果；其中，每一轮测试的测试参数为经预设修调规则调整后的测试参数；其中，所述预设截止规则在最新一轮测试的测试结果为不通过的情况下触发。本发明方案不但实现了芯片电磁兼容测试的自动化，还提高了测试方法的智能性，提高了芯片电磁兼容测试的效率。
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公开(公告)号：CN114203592A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111473541.2
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。
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公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN114062740A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R1/18
Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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