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公开(公告)号：CN115904915B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310068013.1
申请日：2023-02-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片功能验证系统、方法、存储介质及处理器，属于芯片测试技术领域。所述芯片功能验证系统包括：一个或多个分布式处理器，分别位于一个或多个测试位处，且分别被配置有被测芯片接口，用于测试经由该被测芯片接口接入的被测试芯片的功能；主控处理器，经由第一CAN总线与所述一个或多个分布式处理器相连，用于经由该第一CAN总线发送控制所述一个或多个分布式处理器执行测试的指令以及接收并汇总各分布式处理器发送的测试结果。本发明的芯片功能验证系统可以支持多芯片并行测试，且能够有效消除测试指令和测试信号的传输时延。
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公开(公告)号：CN111710627A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN114325303B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN114397562B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210296257.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片EMC抗扰度自动测试方法及系统，属于芯片测试技术领域。所述方法包括：获取待测芯片参数信息；基于所述待测芯片参数信息确定芯片的初始测试参数；基于对应的测试参数，进行芯片多轮测试，直到触发预设截止规则，停止芯片测试，输出测试结果；其中，每一轮测试的测试参数为经预设修调规则调整后的测试参数；其中，所述预设截止规则在最新一轮测试的测试结果为不通过的情况下触发。本发明方案不但实现了芯片电磁兼容测试的自动化，还提高了测试方法的智能性，提高了芯片电磁兼容测试的效率。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119276767A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410990689.0
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请公开一种节点路由方法、节点路由装置、计算机设备、通信系统和存储介质。方法包括基于当前节点对应的电力负荷数据，划分多个路由时段，电力负荷数据基于与当前节点连接的电力采集终端采集的电力数据确定；分别建立当前节点在各个路由时段的路由表，路由表包括当前节点的子节点；基于各个路由时段的路由表，对当前节点进行路由控制。基于电力负荷数据的变化规律，划分多个路由时段，并分别建立各个路由时段的路由表，使用当前时刻所在的路由时段的路由表，不仅可保证当前时刻的路由性能，提高通信质量和可靠性，且由于电力负荷的规律性变化，路由表无需频繁维护，还可大大降低路由表的维护开销。
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公开(公告)号：CN111710627B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN115356606B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210929159.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种隔离器件耐压测试的装置、制造方法及耐压测试的方法，所述装置包括：一对夹具、PCB板、金属和底座；所述一对夹具固定于所述底座上；每个夹具包括上夹板和下夹板，所述下夹板上设置所述PCB板，所述PCB板上设置所述金属；其中，当隔离器的两侧端子分别接触所述金属短接时，所述隔离器与所述底座之间为空气隔开。本公开提供的装置，隔离器与底座之间由空气隔开，利用空气绝缘性较好的原理，可以大大提高隔离器耐压测试的上限，防止在隔离器测试过程当中，因测试工装自身耐压不足产生闪络、火花等击穿现象，从而可以在较高的测试电压下测试隔离器，能够更加全面的评估隔离器的性能指标。
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公开(公告)号：CN114062740B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R1/18
Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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