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公开(公告)号:CN114334900A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111133991.7
申请日:2021-09-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体结构包括基板、芯片、第一边缘垫、第一中央垫、第二边缘垫以及第二中央垫。基板具有第一表面与在基板上延伸的导电迹线。芯片位于该基板的该第一表面上。芯片具有侧壁、中央区及位于中央区与侧壁之间的边缘区。第一边缘垫位于芯片的边缘区上。第一中央垫位于芯片的中央区上,且电性连接至第一边缘垫。第二边缘垫位于芯片的边缘区上。第一边缘垫与芯片的侧壁之间的距离实质上小于第二边缘垫与芯片的侧壁之间的距离。第二中央垫位于芯片的中央区上,且电性连接至第二边缘垫。借此,本揭露的半导体结构,可以降低电容,从而改善半导体结构的输出信号。
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公开(公告)号:CN112786551A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201911281915.3
申请日:2019-12-13
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种重布线层结构,包括第一接垫、第二接垫、第三接垫、第四接垫、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件与第四开关元件。第一接垫、第二接垫、第三接垫与第四接垫彼此分离。第一开关元件包括彼此分离的第一导体层与第二导体层。第二开关元件包括彼此分离的第三导体层与第四导体层。第三开关元件包括彼此分离的第五导体层与第六导体层。第四开关元件包括彼此分离的第七导体层与第八导体层。上述重布线层结构可有效地降低生产成本。
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公开(公告)号:CN110854084A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201911155942.6
申请日:2019-11-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/485 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及制造半导体封装的方法,半导体封装包括基板和与依序堆叠在基板上的半导体芯片、下部导电层及上部导电层。基板包括在其上形成的第一和第二连接垫。半导体芯片包括形成在其上的第三和第四连接垫。上部导电层通过第一和第二引线连接到第一和第三连接垫,下部导电层通过第三和第四引线连接到第二和第四连接垫。通过上部导电层与下部导电层的设置可强化芯片与电路板间的电性连结并减少杂讯产生。
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公开(公告)号:CN101465341B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200710160184.8
申请日:2007-12-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种堆叠式芯片封装结构,其配置多个相互堆叠的芯片以及多个相互堆叠的软板于一基板上。芯片分别借由一间隙层而相互堆叠。此外,这些相互堆叠的软板之间以及基板上配置有多个导电块,以使这些软板与基板电性连接。另外,多条导线电性连接于这些软板与这些芯片之间,以形成一具有多层芯片的封装结构于基板上,进而提供芯片的电性效能及可靠度。
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公开(公告)号:CN101572260B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200810095844.3
申请日:2008-04-30
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种多芯片堆叠封装体,包括一第一线路基板、一第一芯片、一第二线路基板以及一第二芯片。第一芯片配置于第一线路基板上,且第一芯片具有一远离第一线路基板的第一有源面。第二线路基板配置于第一芯片上,第二线路基板包括一介电层、一第一线路层以及一第二线路层。第一线路层电性连接至第一芯片与第一线路基板。第二线路层电性连接至第一线路基板,且第一线路层与第二线路层分别配置于介电层的相对两侧。第二芯片配置于第二线路基板上,且电性连接至第二线路层。第二芯片具有一第二有源面,且第二有源面与第一有源面面向第二线路基板。
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公开(公告)号:CN1185695C
公开(公告)日:2005-01-19
申请号:CN02108450.5
申请日:2002-03-29
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L21/50 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 一种存储器的封装方法,用以将一第一、第二存储器晶片,封装成一堆叠式封装的存储器晶片,其中上述第一、第二半导体晶片具有相同定义的接合电极,上述方法包括提供分别具有一第一、第二堆叠功能电路于上述第一、第二存储器晶片中,其中上述第一、第二堆叠功能电路各含有一选择端以及一启动端;上述第一及第二存储器晶片的接合电极,分别电性连接至一基材的相同定义电极上,并且电性连接上述第一堆叠功能电路的上述选择端至一第一电压准位,且电性连接上述第二堆叠功能电路的上述选择端至一第二电压准位;以及电性连接上述第一、第二堆叠功能电路的启动端至一电源供应电位。
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公开(公告)号:CN1450566A
公开(公告)日:2003-10-22
申请号:CN02106278.1
申请日:2002-04-08
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
Abstract: 一种快速判别字元线的缺陷型态的方法,适用于一记忆体中产生微泄漏之一缺陷的字元线,本方法包括:首先,建构一电特性与缺陷型态的对应关系表;接着,启动上述缺陷字元线;然后,施加一第一电压于上述缺陷字元线上并同时量测上述缺陷字元线上的对应电特性;最后,根据上述所量测的电特性与上述电特性与缺陷型态的关系表比对,以判断上述陷缺字元线的缺陷型态。
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公开(公告)号:CN119626290A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202311704560.0
申请日:2023-12-12
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: G11C11/408 , G11C11/4078 , G06F7/58
Abstract: 本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器,经配置以响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新多条字元线之一;一随机数产生器,经配置以产生一第一数;一计数器,经配置以接收该第一数作为该计数器的一初始值,其中该计数器经配置以响应于该更新信号而开启;以及一地址寄存器,经配置以存储当该计数器递减至零时为有效的一第一字元线的一地址。
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公开(公告)号:CN118738028A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410298916.3
申请日:2023-08-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 本公开提供一种半导体元件,包括多个晶粒区、一切割线区、多个凸块垫、多个电路探测垫以及多条金属线。该多个晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区设置在该多个晶粒区之间。该多个凸块垫设置在每一个晶粒区的一边缘区的一第一上表面上。该多个电路探测垫,设置在该切割线区的一第二上表面上。该多条金属线设置在每一个晶粒区的该第一上表面上以及在该切割线区的该第二上表面上,且经配置以将该多个凸块垫电性连接到相对应的该等电路探测垫。
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公开(公告)号:CN113497022B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202110367592.0
申请日:2021-04-06
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Inventor: 杨吴德
IPC: H01L25/18 , H10B80/00 , H01L23/482 , H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种元件晶粒、一种晶粒组件、及一种电子系统。该元件晶粒包括一封装体和多个转接垫,其设置于该封装体的一功能性表面上。所述多个转接垫被分为与彼此电性隔离的多个区段。在相邻对的转接垫中,转接垫之间只存在一个电性连接,包括其中一转接垫中的一区段电性连接至另一转接垫中的一区段。该晶粒组件包括以阶梯式配置堆叠的一对元件晶粒。该电子系统包括具有至少一金属层的一支撑件;以及多个元件晶粒,其设置于该支撑件上并通过多个条导线机械性且电性耦合至该金属层。
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