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公开(公告)号：CN106757323B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611103463.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。
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公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN107628637A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710691388.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种在衬底上用水热法生长III族氧化物与氮化物纳米柱有序阵列，具体步骤如下：将III族硝酸盐或者氯化物(如Ga(NO3)3·nH2O)溶解于去离子水中得到一定X3+浓度的溶液；添加碱性物质或表面活性物质，调节PH值在6.5-9之间；将衬底和溶液放入到具有聚四氟乙烯内衬的高压釜中；将高压釜在85-150℃温度下水浴加热，反应时间视需要在2-10h之间。待反应完成后，将衬底取出，用去离子水洗涤吹干；将衬底置于高温管式炉中空气或氧气气氛下退火一定时间(1-10h)，温度范围800-1000℃；经上述过程，通过控制工艺条件，即衬底上可得到具有一定长径比和密度分布的III族氧化物纳米柱有序阵列；III族X是Ga、In或Al；衬底包括蓝宝石或者硅衬底。
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公开(公告)号：CN101752430B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN101217175B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n-GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1-xN阱层和InyGa1-yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1-10个周期；顶层氮化物，GaN或p-GaN，所述的顶层氮化物厚0.02-2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360-900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101289172B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN101752430A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN100532638C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN101431017A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235279.6
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，包括下述步骤：1)采用的衬底是蓝宝石或Si，2)将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550－750℃，生长时间30－300s；3)将生长温度升高至850－950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30－300s；4)维持步骤3生长条件开始升温生长，直到生长温度提升至1050－1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；5)生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。
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公开(公告)号：CN101429650A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235277.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N2及NH3；生长温度为550－750℃，缓冲层厚度在50nm－1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000－1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5－20℃/分钟；降温方式温度降至在650－750℃之间时，在该温度区间维持10－30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。
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