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公开(公告)号：CN112768582B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110275172.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。
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公开(公告)号：CN109935614A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN109037291A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810863787.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。
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公开(公告)号：CN108878469A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN104538523B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510012923.3
申请日：2015-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129208A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610545536.0
申请日：2016-07-07
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多个小岛或者开孔的浅台面；p‑GaN浅台面上设有金属点，并与石墨烯形成局部欧姆接触。相对于现在的技术，本发明所述的技术方案通过石墨烯作为扩散层，提高了电子的迁移，提高了电流分布的均匀性；通过金属点接触，降低接触电阻，提高发光效率；通过刻蚀GaN层，减少紫外波段的吸收，提高整体紫外出光率。
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公开(公告)号：CN119470598B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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公开(公告)号：CN119325318B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN119019003A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411514612.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 南京大学 , 中持水务股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于污水处理的复合改性重介质的制备方法和应用，其中的制备方法包括，分别使用酸性、碱性溶液对重介质进行浸泡、冲洗和烘干处理；使用酸溶液对处理后的重介质表面进行刻蚀；先后两次放入聚多巴胺溶液中搅拌、烘干；将烘干后的重介质放入金属阳离子溶液中进行第三次搅拌、烘干；使用去离子水对所得重介质进行多次冲洗并进行第四次烘干，最终得到复合改性重介质。本发明提供的制备方法，方法简单、易于操作、生产成本低，所得产物同时实现了对带有正、负两种电荷的悬浮物的有效沉降，具备优越的污水处理效果。
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