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公开(公告)号：CN118465515B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410919386.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。
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公开(公告)号：CN117512512A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311672211.5
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0，靶材和样品自然冷却10min后，再启动射频磁控溅射，如此溅射‑冷却循环进行，直至得到预定厚度的AlN薄膜。所制得的氮化铝薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于1nm；依据本发明方法制备的氮化铝薄膜与半导体微电子技术相兼容，具有宽禁带，高击穿电压的优点，适用于与CMOS相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN116705880A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310761314.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器，包括衬底层及衬底层上的AlN有源层，其特征在于：在AlN有源层表面通过刻蚀形成凹陷的弧形台面，还包括弧形叉指电极，其中一侧的叉指电极蒸镀于AlN有源层表面，另一侧的相邻电极蒸镀于凹陷的弧形台面内，且不与弧形台面刻蚀的侧壁接触。还公开了其制备方法。本发明的一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器利用弧形叉指电极使得有源区暴露在深紫外光下，在可渗透深度内促进器件光吸收。同时，非共面电极使得台面边缘电场出现局域增强，延伸了近表面区域耗尽层宽度，可增大光响应度。
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公开(公告)号：CN115621327A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110792656.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。
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公开(公告)号：CN114262938B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111548883.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115083990A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210844935.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移方法，首先制备好常规衬底上的Micro‑LED阵列。之后将光感应胶带与芯片绑定，再将芯片与原衬底进行分离。接着用光照射光感应胶带使其丧失黏性，之后将转移基板对准待转移芯片，进行芯片拾取。在接收基板上蒸镀好驱动电路，并蒸镀低熔点金属焊点。之后将带有芯片的转移基板对准目标衬底，并施加压力使芯片紧密贴合衬底，然后加热使得转移基板上的热释放胶丧失黏性，同时将焊点熔化。最后恢复常温移开转移基板完成芯片的转移。本发明可以将芯片的释放与芯片的焊接同时进行，从而提高了芯片转移的效率，同时可以通过控制转移基板上热释放性胶的图形来转移不同间距不同尺寸的芯片。
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公开(公告)号：CN113224216B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111525010B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010362919.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法。该高发光效率的深紫外发光二极管芯片包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的P型电极、N型电极，其中，所述外延结构包括依次叠层设置的p‑AlGaN层、多量子阱层以及n‑AlGaN层，所述n‑AlGaN层上形成有台面，所述台面包含多个六棱锥体结构。本发明实施例提供一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片，在对n‑AlGaN进行图形化的同时，基于特定图形、尺寸以及表面覆盖率的设置，有效降低了DUV LED的全反射，并显著提高了DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113106398B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110389349.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN113224216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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