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公开(公告)号：CN103130174B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210082544.8
申请日：2012-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2207/098 , B81C1/00301 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 一种方法，包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后，在衬底中形成穿透开口，其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口，该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN103964376A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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公开(公告)号：CN103193193A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103964376B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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