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公开(公告)号：CN103848390A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
Abstract: 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN103848390B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
Abstract: 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN103193193B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103224216A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210258786.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气并与空腔形成工艺相兼容。与共晶接合相比，得益于更高的接合比，通过融熔接合而接合的MEMS结构更加坚固。此外，融熔接合能够在MEMS结构中形成衬底通孔(TSV)。
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公开(公告)号：CN103569937A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210451121.9
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开口的第二开口，其中所述第二开口包括自所述载体晶圆的表面延伸入所述载体晶圆的入口部分，以及比所述入口部分宽的内部部分，其中所述内部部分在所述载体晶圆中比所述入口部分深。本发明还公开了微机电系统(MEMS)器件以及MEMS器件形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103288043A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李德浩
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
Abstract: HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103130174A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210082544.8
申请日：2012-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2207/098 , B81C1/00301 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 一种方法，包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后，在衬底中形成穿透开口，其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口，该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。
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公开(公告)号：CN103224216B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210258786.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气并与空腔形成工艺相兼容。与共晶接合相比，得益于更高的接合比，通过融熔接合而接合的MEMS结构更加坚固。此外，融熔接合能够在MEMS结构中形成衬底通孔(TSV)。
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公开(公告)号：CN103569937B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210451121.9
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开口的第二开口，其中所述第二开口包括自所述载体晶圆的表面延伸入所述载体晶圆的入口部分，以及比所述入口部分宽的内部部分，其中所述内部部分在所述载体晶圆中比所述入口部分深。本发明还公开了微机电系统(MEMS)器件以及MEMS器件形成方法。
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公开(公告)号：CN103288043B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李德浩
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
Abstract: HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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