公开(公告)号：CN109427604B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201810768975.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  高振颜 ,  张书豪 ,  徐源甫 ,  陈奕豪 ,  黄得智 ,  王士哲

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开的实施例涉及缺陷检验的方法。在图案部件形成于结构层中之后，填充具有与结构层不同的光学性质的虚设填充材于图案部件中。图案部件中的材料与结构层之间不同的光学性质增加了通过检验工具所捕捉的影像中的对比度，因而增加了缺陷捕捉率。

公开(公告)号：CN109427749B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201811003057.1

申请日：2018-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雨青 ,  黄得智 ,  方玉标

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 覆盖标记包括第一、第二、第三和第四组件。第一组件位于第一覆盖标记的第一区域中，并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第二组件位于第一覆盖标记的第二区域中，并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第三组件位于第一覆盖标记的第三区域中，并且包括在与第一方向不同的第二方向上延伸的多个光栅。第四组件位于第一覆盖标记的第四区域中，并且包括在第二方向上延伸的多个光栅。第一区域与第二区域对准。第三区域与第四区域对准。本发明实施例涉及一种半导体装置以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109427749A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811003057.1

申请日：2018-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雨青 ,  黄得智 ,  方玉标

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 覆盖标记包括第一、第二、第三和第四组件。第一组件位于第一覆盖标记的第一区域中，并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第二组件位于第一覆盖标记的第二区域中，并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第三组件位于第一覆盖标记的第三区域中，并且包括在与第一方向不同的第二方向上延伸的多个光栅。第四组件位于第一覆盖标记的第四区域中，并且包括在第二方向上延伸的多个光栅。第一区域与第二区域对准。第三区域与第四区域对准。本发明实施例涉及一种半导体装置以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101241309B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810004166.5

申请日：2008-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯志明 ,  游信胜 ,  王育溪 ,  黄得智 ,  高蔡胜 ,  黄国骏

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/14 ,  H01L21/66 ,  G01B11/02

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70516

Abstract: 本发明是有关于一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较该第一间距与该第二间距的比较步骤；以及依据该比较步骤判断度量准确度。经由前述比较，可采取适当的校准步骤，以缩短已知间距与测得间距之间的差距。本发明提供的方法，利用次纳米级间距偏移量，可有效校准度量工具至次纳米级。