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公开(公告)号：CN116072744B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
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公开(公告)号：CN118603345A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410654295.8
申请日：2024-05-24
Abstract: 多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法，属于温度传感器领域。解决了传统的掺硼金刚石温度传感器无法弱化声子‑电子耦合现象，导致掺硼金刚石温度传感器的电导率随温度变化的敏感性差，以及普通机械装配方式易损伤且存在界面热适配的问题。本发明将掺硼金刚石膜上设置点阵式排列的微纳尺度孔径结构，该微纳尺度孔径结构存在可使掺硼金刚石内声子输运过程发生声子相干现象，弱化声子与电子之间的相互作用，增强电子的输运能力增加掺硼金刚石的电学性能以及其温度敏感性，另一方面多层膜所形成的复合薄膜结构沉积在测温物件表面，确保恶劣环境的机械结构稳定性，并且可以减少界面热适配造成的测温误差与延迟。本发明主要用于测温。
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公开(公告)号：CN118256900A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410582123.4
申请日：2024-05-11
Abstract: 一种热丝CVD的紧丝装置及其自动控制方法，本发明的目的是为了解决现有热丝CVD的紧丝装置在降温过程中易出现断裂的问题。热丝CVD的紧丝装置中的四根电极支架竖直设置，两个电极对称设置，所述的连接机构为横置的椭圆柱体，沿椭圆柱体的径向开有通孔，沿椭圆柱体的轴向开有方形槽孔，热丝的一端沿方形槽孔的宽度方向穿入，再绕入插设在通孔中，热丝张紧在两个电极之间，连接机构的一椭圆端与静态单轴力矩传感器转动连接，连接机构的另一椭圆端与伺服电机的动力输出端相连。本发明能够根据热丝CVD的工艺阶段自动调节热丝的状态，使热丝在升温及保温的过程中不下榻、在降温的过程中不断裂，延长了热丝的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118204495A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410152213.X
申请日：2024-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本申请公开了一种多孔钽融合器及其制备方法，其属于医疗器械技术领域，将聚乙烯醇、致孔剂、氯化镁、氯化锌、氯化锶、烧结助剂混合，再加入钽金属混合均匀制得多孔钽融合器生胚，对多孔钽融合器生胚进行压块处理，采用气氛保护烧结制得多孔钽融合器；通过新的配方设计和致孔剂烧结的工艺制备的多孔钽融合器具有优异的生物相容性和促进组织再生修复的作用，能够与人体组织形成紧密的键合界面，提高融合器与人体组织的结合稳定性、力学性能与人体组织适配，可应用于临床组织缺损修复治疗。
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公开(公告)号：CN118116978A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410248833.3
申请日：2024-03-05
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , G01K7/01
Abstract: 通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器及其制备方法，本发明是为了解决现有二级管温度传感器传感灵敏度低、温度监测范围小的问题。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器包括本征金刚石衬底、高浓度掺硼金刚石层、欧姆电极、金刚石低掺杂耗尽层和肖特基电极，在本征金刚石衬底上沉积高浓度掺硼金刚石层，在高浓度掺硼金刚石层上沉积欧姆电极并以欧姆电极作为金属掩膜进行选择性生长外延金刚石低掺杂耗尽层，在金刚石低掺杂耗尽层上沉积薄金属电极作为肖特基电极。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器具有更大的温度监测范围、更高的温度传感灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116682719A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310648681.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B33/02 , C23C14/35 , C23C14/16 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 基于电流变化确定Ir衬底上金刚石偏压增强形核最佳处理时长的方法，本发明的目的是为了解决BEN工艺最佳处理时长受到较多因素影响，形核时长难以确定的问题。最佳处理时长的确定方法：一、制备导电复合衬底；二、在某一工艺体系下进行长时间的偏压增强形核处理，使偏置电流升高至峰值Imax，并检测至偏置电流产生下降，绘制I‑t图，从I‑t图中获取偏置电流达到峰值时对应的BEN处理时长和偏置电流峰值较之初始值的增幅ΔI，该工艺体系下BEN最佳处理时长确定为当偏置电流升高且增幅达到ΔI的处理时长。本发明提供了一种有效保证获得最高晶畴覆盖率和最低非外延小晶粒数量的方法，显著提高异质外延金刚石的形核密度和外延比例。
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公开(公告)号：CN116008071B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211576426.2
申请日：2022-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种法向加载薄板微拉伸试验装置，其解决了现有试验装置采用螺杆机械施压，无法灵活改变法向压力大小的技术问题，其压力加载装置设有固定板框、左压力加载装置、右压力加载装置、导向装置；左压力加载装置设有左电动推杆，其左端与固定板框连接，左电动推杆、第一推板、左压头加载装置从左向右连接；右压力加载装置设有右电动推杆，其右端与固定板框连接，右电动推杆、第二推板、氮气弹簧、第三推板、压力传感器、第四推板、右压头加载装置从右向左连接；左压头加载装置与右压头加载装置正对间隔设置；导向装置设有导杆，导杆分别贯穿并与第一推板、第二推板、第三推板、第四推板滑动连接，可广泛应用于薄板力学性能测试技术领域。
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公开(公告)号：CN115513327A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211226842.X
申请日：2022-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 利用紫外光原位调控肖特基势垒高度的探测器及其制备方法，本发明为了解决现有金刚石日盲紫外探测器的响应度和可探测度有待提高的问题。本发明利用紫外光原位调控肖特基势垒高度的探测器包括金刚石和叉指结构电极，在金刚石表面形成氧终端，带有氧终端金刚石的表面沉积叉指结构电极，叉指结构电极是由至少2个叉指电极形成叉指结构，且叉指结构电极的沉积厚度为5～10nm。采用光刻工艺在金刚石表面溅射沉积叉指结构电极。本发明采用厚度较薄的电极结构，利用半导体的光生伏特效应产生的光生电动势调控肖特基结的表面电势，实现更高更好的探测性能。本发明探测器相比传统器件的响应度和可探测度均提高了128％。
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公开(公告)号：CN113278912B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110525235.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硅终端金刚石表面的制备方法，本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构，导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法：一、对金刚石样品进行超声清洗；二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理；三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜；四、将镀硅的金刚石封管，高温加热处理；五、将金刚石放于HF中浸泡处理，完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性，使成键方式相对可控有序，制备工艺较为简单，周期短，可重复性强。
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公开(公告)号：CN114126242B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111220329.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H05K3/12 , B41M5/00 , C09D11/03 , C09D11/102 , C09D11/103 , C09D11/104 , C09D11/107 , C09D11/52 , B33Y70/10 , B33Y70/00
Abstract: 本申请提供了一种3D打印共形电路制备方法，其解决了现有共形电路使用寿命短的技术问题；包括：(1)将基底表面涂满绝缘材料，形成第一绝缘层；(2)将导电层打印墨水加入内层喷嘴；将粘结层打印墨水加入外层喷嘴；设定3D打印程序和打印参数，在绝缘材料外打印形成导电层、粘结层，粘结层包裹导电层的外表面；内层喷嘴、外层喷嘴由打印机喷嘴内圆弧隔板分隔而成，内层喷嘴的横截面积小于外层喷嘴的横截面积；(3)将绝缘层打印墨水加入打印机喷嘴，在粘结层外进行第二绝缘层打印，获得3D打印的共形电路。本申请广泛应用于电路制作技术领域。
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