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公开(公告)号:CN103395006A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201310364402.5
申请日:2013-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 低压后混合式微细磨料射流精确供料装置及方法,属于难加工材料加工技术领域,本发明为解决现有低压后混合式微细磨料射流加工技术中微细磨料难以吸入,无法实现磨料精确供料的问题。本发明方案:后混合喷射装置具有喷嘴、后混合腔、工作液入口和磨料混合液入口;后混合喷射装置下端设置的喷嘴正对被加工工件的上表面,上端设置有工作液入口,内部设置有后混合腔,侧壁设置有磨料混合液入口;磨料混合液搅拌装置通过管路与精密流量控制泵的入口相连,精密流量控制泵的出口与磨料混合液入口相连;计算机通过精密流量控制泵电机驱动器控制精密流量控制泵的转速;计算机通过搅拌装置电机驱动器控制磨料混合液搅拌装置的转速。
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公开(公告)号:CN101195178B
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:CN200710144867.4
申请日:2007-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 龙门式超精密飞切铣床,它涉及一种铣床。本发明解决了现有技术中没能提供用于平面超精密加工的专用设备来加工非线性光学领域所急需的KDP晶体等功能材料的问题。所述主轴套(38)套装在气体静压主轴(35)上,飞刀盘(34)安装在气体静压主轴(35)的下端上,上溜板(41)的两端通过两个中间溜板(45)与两个下溜板(46)分别固接并形成凹槽(62),所述导轨(42)的上端安装在凹槽(62)内,真空吸盘(57)安装在上溜板(41)上,丝母(58)套装在丝杠(11)上,丝杠(11)的两端安装在导轨(42)的上端。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动,而且导轨和主轴均采用了空气静压的控制方式,具有精度高、无污染等优点。
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公开(公告)号:CN101462256A
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200910071276.8
申请日:2009-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 应用纳米胶体射流抛光元件表面的方法,它涉及一种应用胶体射流抛光元件的方法。本发明解决了现有的抛光方法难以使元件表面达到超光滑表面的要求或能达到超光滑表面的要求但加工成本过高的问题。本发明方法如下:在射流压力为0.1MPa~10MPa、喷射速度为10~200m/s的条件下将纳米胶体喷射于元件表面;其中所述的纳米胶体的动力粘度为0.001~0.02N·s/m2、pH值为8~12。本发明方法适用于光学玻璃、微晶玻璃、半导体材料及单晶材料等硬脆材料的超精密、超光滑抛光,经过抛光后元件表面粗糙度小于1nm(Rms),达到了超光滑表面的要求。
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公开(公告)号:CN101249612A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810064006.X
申请日:2008-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23Q1/01
Abstract: 超精密近零摩擦导轨,本发明涉及一种导轨。本发明是为解决现有机床导轨本体与溜板之间存在摩擦力及驱动系统影响到溜板和导轨本体间的直线运动精度的问题,本发明的溜板由上溜板、两个下溜板和两个侧溜板组成,定子设置在凹槽内并通过连接座固定在导轨本体上,齿条的上端与上溜板的下端面固定连接,齿条与转子啮合,上溜板上与导轨本体对应处设有上节流孔,侧溜板上与导轨本体对应处设有侧节流孔,下溜板上与导轨本体对应处设有下节流孔。本发明采用了直线电机作为驱动本体直接驱动溜板,溜板的直线运动精度可以达到纳米量级,导轨本体与溜板之间没有直接接触,导轨本体与溜板之间的摩擦力接近于零,从而消除了导轨本体与溜板之间摩擦力。
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公开(公告)号:CN1328007C
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200410044076.0
申请日:2004-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超声波磁流变复合抛光方法及装置,它涉及超精密加工和光学加工技术领域。本发明方法采用小直径中空的回转抛光工具头(5),在其内部通入混有磨料的磁流变液(13),并施加一定的磁场,使磁流变液(13)在工具头(5)上形成有一定去除能力的柔性抛光工具,同时,施加超声振动,而实现抛光去除作用。本发明装置中超声波发生装置(3)的上端与电主轴(1)的输出端固定连接,其下部空套电磁铁(4),其下端固定连接工具头(5)。本发明的抛光方法采用小直径中空的回转工具头,可实现较小曲率半径的凹曲面的抛光、特别是深凹面光学元件加工,可推广应用于自由曲面光学元件的超精密加工,提高抛光的去除效率;抛光设备具有结构简单、紧凑、操作方便、加工精度高的优点。
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公开(公告)号:CN109968203B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910273117.X
申请日:2019-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种环形抛光加工中抛光盘表面形貌误差的修整装置及方法,隶属于光学加工领域,尤其涉及一种修整环抛机床抛光盘表面形貌的装置及方法,目的是为了克服现有抛光盘修整装置无法根据需要对修整装置进行多姿态的调整,修整精度不高的问题,包括载板、角度调节杆、高度调节杆和刮盘刀具;角度调节杆位于载板的上,且角度调节杆的一端设有调节杆螺栓以实现转动连接;载板上沿角度调节杆的转动路径设有弧形通槽;角度调节杆的另一端连接有高度调节杆,高度调节杆的顶端穿过载板的弧形通槽及角度调节杆的另一端;高度调节杆的底端设有刮盘刀具固定槽并可实现刮盘刀具相对高度调节杆的角度调整。
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公开(公告)号:CN106949852B
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201710229911.5
申请日:2017-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01B11/24
Abstract: 环抛加工修正盘表面形状误差的检测装置及检测方法,涉及一种形状误差的检测装置及检测方法。本发明为了解决现有技术中由于环抛加工修正盘具有较大的直径和较高的重量,进而造成激光干涉仪和三坐标测量仪无法直接进行表面形状误差的检测的问题。装置由大理石平尺、U形框、精密定位台、激光位移传感器、支撑平台、和矩形玻璃构成。检测方法:一、吊装环抛加工修正盘并组装装置;二、标出直径;三、调整大理石平尺与环抛加工修正盘工作面平行;四、数据采集。本发明解决了大尺寸修正盘工作面朝下且难以翻转的难题,能够半自动地检测大型环抛机的大尺寸修正盘的表面形状误差,检测过程简单精度高。本发明适用于检测环抛加工修正盘表面形状误差。
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公开(公告)号:CN105234820B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201510523228.3
申请日:2015-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种非接触式金属基砂轮圆度误差及磨损量在线检测方法及实现该方法的装置,涉及磨削加工领域中的金属基砂轮圆度误差和砂轮磨损量在线检测技术。它为了解决现有测量金属基砂轮圆度误差及砂轮磨损量的方法应用范围窄的问题。本发明的方案为:固定电涡流传感器的位置,采用电涡流传感器在线检测该电涡流传感器测头与金属基砂轮表面距离,计算得到砂轮不同位置半径变化情况,从而得到金属基砂轮旋转一周的圆度误差曲线。通过比较一段磨削时间后砂轮对应位置半径的变化,计算得到金属基砂轮表面不同位置的磨损量。本发明能够以非接触方式在磨削过程实时检测金属基砂轮磨损量及砂轮圆度误差,检测精度高,适用范围广。
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公开(公告)号:CN107883964A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201711115936.9
申请日:2017-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: G01C21/20 , G01B11/002 , G01B11/02
Abstract: 环抛加工中工件环上单点运动轨迹检测装置及利用该装置进行检测的方法,涉及一种环抛加工工件环上运动轨迹检测装置及其方法。本发明为了解决现有环抛加工中工件环上单点运动轨检测过程复杂和检测精度低的问题。装置由工件环、激光位移传感器、光电位置传感器和固定板构成;工件环与固定板平行设置,激光位移传感器设置于工件环上表面的盲孔内部,光电位置传感器以环形阵列的方式设置于固定板的下表面。方法:工件环转动过程中光电位置传感器记录平面坐标数据x和y,激光位移传感器记录竖直高度变化z;将x和y绘制成平面运动轨迹图,将x、y和z绘制成三维运动轨迹图。本发明检测过程简单方便且精度较高,可以而提高元件面形演变预测的精度。
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公开(公告)号:CN105522237B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201610081907.4
申请日:2016-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种反应烧结SiC陶瓷磨削过程中的金属基砂轮在线电火花修锐方法,本发明涉及工程陶瓷精密磨削加工领域,具体涉及反应烧结SiC陶瓷镜面精密成形磨削过程中的金属基砂轮修锐方法。本发明目的是要解决现有在线修锐方法需要专用修锐装置,安装时需要对机床进行改造,且腐蚀性的工作液对机床维护与保养不利的问题。在线电火花修锐方法:以金属基砂轮和反应烧结SiC陶瓷作为火花放电的两个电极,以脉冲电源作为火花放电的电源,以乳化溶液作为电火花放电的介质溶液,通过脉冲电源的脉冲电流在介质溶液中的火花放电作用,实现反应烧结SiC陶瓷磨削过程中的金属基砂轮在线电火花修锐。本发明主要用于反应烧结SiC陶瓷的精密磨削加工。
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