公开(公告)号：CN1956149A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137543.3

申请日：2006-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·A·曼德尔曼 ,  B·J·格里恩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76245 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。

公开(公告)号：CN1507032A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310121333.1

申请日：2003-12-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·奇丹巴尔拉奥 ,  O·H·多库马茨 ,  B·B·多里斯 ,  J·A·曼德尔曼

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/785

Abstract: 一种在张力和/或压缩力作用下的衬底，该衬底可以改善在其中制造的器件的性能。可以通过选择适当的STI填充材料将张力和/或压缩力施加到衬底上。STI区形成在衬底层中，并对相邻的衬底区施加应力。在压缩力或张力作用下的衬底展现出与无应力衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变在衬底上形成的NFET和PFET中的这些应力，可以实现IC性能的改善。

公开(公告)号：CN1113402C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98122391.5

申请日：1998-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·B·布龙纳 ,  J·P·甘比诺 ,  C·J·拉登斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L21/3215 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/82345

Abstract: 一种提供双功函数掺杂的方法通过至少各栅结构的一个侧壁，将具有各结构上的自对准绝缘层的所选数目的各栅结构掺杂为第一导电类型，从而提供栅结构阵列，由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。另外，提供一种栅结构阵列，使各栅结构含有于其上部的自对准的绝缘层，其中某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。

公开(公告)号：CN101034696B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710086005.0

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·R·通蒂 ,  L·L-C·许 ,  W·P·霍维斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  杨智超

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路的电编程熔丝结构及其制造方法，其中电编程熔丝具有通过熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部和第二端部相对于熔丝结构的支撑面位于不同的高度，互连熔丝元件在第一端部和第二端部的不同高度之间转变。第一和第二端部取向为与支撑面平行，而熔丝元件包括取向为与支撑面垂直的部分，并且包括至少一个直角弯角，在所述弯角从第一和第二端部的至少一个转变成熔丝元件的垂直取向部分。

公开(公告)号：CN100583460C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810009023.3

申请日：2008-01-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  L·L-C·苏 ,  J·A·曼德尔曼

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明的实施例总体上涉及半导体器件领域，更具体地涉及基于鳍的结型二极管。掺杂半导体鳍的一部分可以穿过第一掺杂层突出。本征层可以布置在所述突出的半导体鳍上。第二半导体层可以布置在本征层上，从而形成与FinFET技术兼容且具有增加的结面积的PIN二极管。

公开(公告)号：CN100547746C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710006995.2

申请日：2007-02-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·R·通蒂 ,  C·J·雷登斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·H-L·马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78624 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一方面，提供了制造高电压晶体管的第一方法。第一方法包括步骤(1)提供包括在绝缘体上硅(SOI)层下面的绝缘层下面的体硅层的衬底；以及(2)在SOI层中形成包括晶体管的扩散区域的晶体管节点的一个或多个部分。部分晶体管节点适于将晶体管内大于约5V的电压减小至小于约3V的电压。还提供了许多其它方面。

公开(公告)号：CN100477202C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710086006.5

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·R·通蒂 ,  R·A·小布思 ,  J·A·曼德尔曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种电编程熔丝结构及其制造方法，其中熔丝具有由长熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部的最大宽度大于熔丝元件的最大宽度，并且熔丝具有窄宽度区域，在其处第一端部和熔丝元件连接。窄宽度区域至少部分延伸进所述第一端部并包括第一端部的部分。窄区域中第一端部的宽度小于第一端部的最大宽度以增强那里的电流积聚。在另一方案中，熔丝元件包括限制宽度区域，其中熔丝元件宽度小于其最大宽度以增强那里的电流积聚，并且限制宽度区域的长度小于熔丝元件的总长度。

公开(公告)号：CN101317273A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044055.6

申请日：2006-12-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  程慷果 ,  路易斯·L-C·许 ,  杨海宁

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78618 ,  H01L2029/7858 ,  Y10S438/96

Abstract: 一种制造finFET的方法，包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。

公开(公告)号：CN101256978A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810082602.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 许履尘 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·R·通蒂 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76892 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。

公开(公告)号：CN101159277A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710149300.6

申请日：2007-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 许履尘 ,  J·A·曼德尔曼 ,  程慷果

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在半导体衬底上形成一种具有高纵横比的柱形p－i－n二极管的装置。通过在位于所述柱的每个末端处的P+区域与N+区域之间的本征或轻掺杂的区域(i区域)形成每一个器件。所述p－i－n二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积，所述柱p－i－n二极管的装置比常规平面p－i－n二极管吸收更多的光能量。以阵列形式配置所述p－i－n二极管以使从一个p－i－n二极管反射的光子被邻近第一个p－i－n二极管的另一个p－i－n二极管所俘获和吸收，从而优化能量转换的效率。