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公开(公告)号：CN1967812A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144540.2
申请日：2006-11-10
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/845 , H01L29/66818 , H01L29/785
摘要： 提供一种形成包括多个鳍片场效应晶体管器件的半导体结构的方法，在该方法中采用交叉掩模提供矩形图形，以与化学氧化物去除(COR)工艺一起限定相对薄的鳍片。本发明还包括通过使用选择性含硅材料合并相邻鳍片的步骤。本发明还涉及利用本发明的方法形成得到的半导体结构。
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公开(公告)号：CN1964074A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144483.8
申请日：2006-11-08
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L51/055 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , Y10S977/742 , Y10S977/94
摘要： 本发明公开了一种CNT技术，此技术克服了CNTFET的固有双极特性。本发明的一个实施例提供稳定的p型CNTFET或稳定的n型CNTFET。本发明的另一个实施例提供互补CNT器件。为了克服CNTFET的双极特性，在与源极/漏极电极相对的CNT下引入源极/漏极栅极。这些源极/漏极栅极用于向CNT的末端提供正或负电压以将对应的FET分别配置为n型或p型CNTFET。配置一个为n型CNTFET而另一个为p型CNTFET的两个相邻CNTFET可以结合成互补CNT器件。为了独立调整单个CNTFET的阈值电压，还可以在CNT下，具体地，在与前栅极相对的CNT的沟道区域下引入后栅极。此方法将寄生电容和寄生电阻最小化。
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公开(公告)号：CN1921075A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610100255.0
申请日：2006-07-05
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78615 , H01L21/26586 , H01L29/42384 , H01L29/66772
摘要： 一种用于降低体接触区域下面的电阻的装置和方法。本方法包括提供包括栅极结构的衬底，该栅极结构包括有源区域和接触体区域。本方法还包括在接触体区域下面以高于在有源区域下面的剂量形成第一杂质区域。所得的较高浓度用于降低在隔离沟道区域的体接触寄生区域中的电阻，并抑制用于泄漏的背栅极“潜路径”。
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公开(公告)号：CN1839483A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480024187.3
申请日：2004-06-25
申请人： 国际商业机器公司
发明人： E·J·诺瓦克
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： 本发明提供了一种制造鳍片型场效应晶体管(FinFET)的方法，所述方法始于构图具有两个较长鳍片(21)和两个较短部分(22)的半导体材料(16)的矩形环。较长鳍片(21)与较短部分(22)垂直。工艺继续在两个较长鳍片(21)的中心部分上构图矩形栅极导体(20)，其中栅极导体(20)垂直于两个较长鳍片(21)。接着，本发明掺杂半导体材料(11)未被栅极导体(20)覆盖的部分，以在鳍片(21)的延伸超过栅极(20)的部分中形成源极和漏极区。接着，本发明沿栅极导体(20)形成绝缘侧壁(31)。然后，本发明用导电接触材料(30)覆盖栅极导体(20)和半导体材料(11)，并在两个较长鳍片(21)的第一鳍片(42)的源极和漏极区之上的一部分导电接触材料(30)上形成接触掩模。本发明随之选择性蚀刻导电接触材料(30)和半导体材料(11)未被接触掩模保护的区域。这在第一鳍片(42)的源极和漏极区上留下导电接触材料(30)，并除去两个较长鳍片(21)的第二鳍片(41)的源极和漏极区。此工艺形成了独特的FinFET，它具有包括中心沟道区(55)和邻近沟道区(55)的源极和漏极区(56)的第一鳍片(42)，与第一鳍片(42)交叉并覆盖沟道区(55)的栅极(20)，以及只具有沟道区的第二鳍片(41)。第二鳍片平行于第一鳍片(42)，并被栅极覆盖。
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公开(公告)号：CN1784782A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012028.1
申请日：2004-01-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/045 , H01L29/66795
摘要： 本发明提供了一种FinFET器件，其具有第一鳍片和第二鳍片。每个鳍片具有沟道区域和从沟道区域延伸的源极和漏极区域。所述鳍片具有不同的高度。本发明具有位于邻近所述鳍片的栅极导体。所述栅极导体垂直于所述鳍片延伸并横跨每个第一鳍片和第二鳍片的沟道区域。所述鳍片相互平行。第一鳍片的高度与第二鳍片的高度的比率包括比率1比2/3。所述比率用于调节晶体管的性能并确定晶体管的总沟道宽度。
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公开(公告)号：CN1758434A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108264.X
申请日：2005-10-08
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L23/58 , H01L27/00 , H01L21/768 , H01L21/82 , G11C17/14 , G11C17/16
CPC分类号： H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种形成反熔丝的方法，其中形成材料层，然后将材料层构图为鳍片。将鳍片的中心部分转换成基本不导电的区域，并将鳍片的端部转换成导体。将鳍片的中心部分转换成绝缘体的工艺允许在高于预定温度的温度下加热鳍片的工艺，以将绝缘体转换成导体。从而，利用加热工艺可以选择性地将鳍片型结构从绝缘体转换成永久导体。
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公开(公告)号：CN102265402B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200980152324.4
申请日：2009-12-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0218 , H01P1/15 , H03K17/693 , H03K2217/0018
摘要： 一种射频(RF)开关(40/42/44)，其位于绝缘体上半导体(SOI)衬底(10/20/30)上，该开关在底部半导体层(10)中包括至少一个电偏压区域(13)。该RF开关接收来自功率放大器的RF信号，并将该RF信号传送到天线(图3)。该电偏压区域可以被偏置(18/79/94或28/89/99)以消除或缩小累积区域，稳定耗尽区域，和/或防止在该底部半导体层中形成反型区域，由此减少由于该RF信号而造成的寄生耦合和谐波生成。分压器电路和整流器电路生成至少一个偏压，该偏压的幅度随着该RF信号的幅度而变化(图6)。将该至少一个偏压施加到该至少一个电偏压区域以维持该底部半导体层的适当偏压，以便将寄生耦合、信号耗损以及谐波生成最小化。
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公开(公告)号：CN103189985A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052747.6
申请日：2011-10-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/165 , H01L29/49 , H01L29/51
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66659
摘要： 本发明提供了一种不对称异质结构FET及制造方法。该结构包括半导体衬底（10）和在半导体衬底（10）上外延生长的半导体层（15）。外延生长的半导体层（15）包含合金，具有在沟道区域中限制反型载流子的带结构和厚度以及位于掺杂边缘处的更厚部分，所述更厚部分更深地延伸到半导体结构中，以避免在掺杂边缘处限制反型载流子。
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公开(公告)号：CN103168363A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050427.7
申请日：2011-09-06
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L29/66803 , H01L29/785
摘要： 本文公开一种鳍片FET端注入半导体结构及制造方法。所述方法包括在包括下伏绝缘体层（10b）的衬底（18’）的硅层上形成至少一个芯轴（图5中的14）。该方法进一步包括蚀刻硅层以在至少一个芯轴之下形成至少一个硅岛（18’）。该方法进一步包括对至少一个硅岛的侧壁执行离子注入以在侧壁上形成掺杂区（20）。该方法进一步包括在衬底上形成介电层，平坦化介电层的顶表面以便与至少一个芯轴（14）的顶表面共面。该方法进一步包括去除至少一个芯轴（14）以在介电层中形成开口。该方法进一步包括蚀刻至少一个硅岛以形成具有掺杂的源极和漏极区的至少一个鳍片岛。
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公开(公告)号：CN101764158A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910222444.9
申请日：2009-11-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 本发明涉及体接触的混合表面绝缘体上半导体结构及其方法。将绝缘体上半导体(SOI)衬底的顶部半导体层的一部分构图为具有基本上垂直侧壁的半导体鳍片。在两个源极区域之间的半导体鳍片的顶面上暴露半导体鳍片的体区域的一部分，该两个源极区域具有与半导体鳍片的体区域相反的导电类型的掺杂。直接在两个源极区域上以及在两个源极区域之间的暴露的体区域的顶面上形成金属半导体合金部分。通过离子注入增加体区域的暴露的顶部的掺杂浓度以向体区域提供低电阻接触，或者形成具有高密度的晶体缺陷的复合区域。由此形成的混合表面绝缘体上半导体(HSSOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有被电连接到源极区域的体区域。
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