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公开(公告)号：CN113924628A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201980096845.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 一种分光元件，其具备：对X射线进行分光的分光晶体(10)；支撑上述分光晶体(10)的第1支撑层(11)；和，支撑上述第1支撑层(11)的第2支撑层(12)，上述第1支撑层(11)具有比上述分光晶体(10)的热膨胀系数大的热膨胀系数，上述第2支撑层(12)具有比上述第1支撑层(11)的热膨胀系数小的热膨胀系数且具有比上述第1支撑层(11)的刚性大的刚性。
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公开(公告)号：CN101952966A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN1425925A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02151855.6
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609
Abstract: 本发明公开了一种放射线探测器。其中，在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而，消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中，并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。
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公开(公告)号：CN1380555A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02105818.0
申请日：2002-04-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L27/14676 , H01L31/0203
Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外,在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上,形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。
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公开(公告)号：CN112955735B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980072319.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/041 , A61B6/06 , A61B6/02 , A61B6/42
Abstract: 本发明涉及一种X射线相位摄像系统(100)，具备X射线源(1)、检测器(2)、第1光栅组(3)、第2光栅组(4)、移动机构(5)和图像处理部(6)。移动机构构成为使被摄体和摄像系统(9)相对移动，从而使被摄体(T)通过第1光栅区域(R1)以及第2光栅区域(R2)。图像处理部构成为生成第1相位对比度图像(14a)和第2相位对比度图像(14b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112189134B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201980032436.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/041
Abstract: 本X射线成像装置(100)具备摄像系统(CS)、移动机构(8)、位置信息获取部(7a)、以及图像处理部(6)，其中，所述摄像系统(CS)包括X射线源(1)、检测器(5)以及多个光栅，所述图像处理部(6)基于多个X射线图像(10)和获取到的断层位置(z+jd)来获取断层面(40)中的相位分布，由此生成断层面的相位对比度图像(16)。
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公开(公告)号：CN111839558A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010213056.0
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00 , G01N23/041
Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。在该X射线相位成像装置中，多个光栅中的至少一个光栅由沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向排列配置的多个光栅部分构成，所述第一方向是利用移动机构使被摄体或摄像系统移动的方向，所述第二方向是X射线源、检测部以及多个光栅排列的方向。而且，多个光栅部分构成为：从第一方向观察时，相邻的光栅部分彼此重叠。
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公开(公告)号：CN106978582A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610917404.6
申请日：2016-10-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C14/205 , C23C14/02 , C23C14/022 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括：加热工序，将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度；搬入工序，将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内；减压工序，对成膜腔室内进行减压；非反应性气体供给工序，将非反应性气体供给至成膜腔室内；等离子体工序，对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压；以及溅射工序，对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。
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公开(公告)号：CN105939847A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006176.0
申请日：2015-01-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C14/024 , C22C21/00 , C23C14/205 , C23C16/402 , C23C16/505 , G02B5/0808
Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上制成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件W上形成Al薄膜102，由工件W与Al薄膜102层叠而成，在工件W与Al薄膜102之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域101。在混合区域101中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。
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