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公开(公告)号：CN1421743A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02124689.0
申请日：2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN103631102A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310262729.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/422 , G03F7/40 , H01L21/0206 , H01L21/308 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及用于光刻的清洗剂、抗蚀剂图案形成方法以及半导体器件制造方法。特别地，提供了用于光刻的清洗剂，其包含C6-C8直链烷二醇和水。
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公开(公告)号：CN101126895B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710008179.5
申请日：2007-01-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突破曝光设备的光源的曝光(分辨率)极限。本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1821871B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN1975571B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610067649.0
申请日：2006-03-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101034256B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN101034256A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1311304C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03149913.9
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/11543 , Y10S430/11
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
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公开(公告)号：CN1821871A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN1701419A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825348.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543
Abstract: 本发明目的在于提供一种固化耐腐蚀性差的抗蚀剂图形的表面以提高其耐腐蚀性且适合于微细、高精细的图形形成的表面固化抗蚀剂图形及其有效的制造方法。本发明的表面固化抗蚀剂图形的制造方法是一种表面具有耐腐蚀性的表面固化抗蚀剂图形的制造方法，其特征在于，在抗蚀剂图形上选择性地淀积有机化合物。优选地，使用介电气体的等离子体来进行上述淀积的方式、对向设置在衬底上淀积的有机化合物和被处理对象来进行上述淀积的方式，优选从与淀积有有机化合物的衬底侧相反的一侧导入上述介电气体的等离子体等。
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