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公开(公告)号：CN101319309B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710165353.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种由气体分布板产生流动梯度的方法和装置。在一个实施例中，该方法和装置特别用于，但不限于，沉积太阳能电池用硅膜。沉积太阳能电池用均匀硅膜的装置包括处理室，和设置在处理室中并具有至少四个由四个边分隔的角的四边形的气体分布板。该气体分布板还包括穿过气体分布板形成的第一多个节流口，该第一多个节流口位于角中，和穿过气体分布板形成的第二多个气体节流口，该第二多个节流口沿角区域之间的边设置，其中第一多个节流口具有比第二多个节流口更大的流动阻力。
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公开(公告)号：CN1939731B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610152431.5
申请日：2006-09-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B41J29/393
Abstract: 本发明公开了用于喷墨液滴定位的方法和装置。第一方法包括确定衬底上墨水滴的期望沉积位置；用喷墨打印系统将墨水滴沉积到衬底上；检测衬底上沉积的墨水滴的沉积位置；将沉积位置与期望位置进行比较；确定沉积位置与期望位置之间的差异，并通过调整喷墨打印系统的参数对沉积位置与期望位置之间的差异进行补偿。本发明还提供了许多其他的方面。
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公开(公告)号：CN1939730B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610152430.0
申请日：2006-09-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B41J29/393
Abstract: 本发明公开了用于喷墨液滴定位的方法和装置。第一方法包括确定衬底上墨水滴的期望沉积位置；用喷墨打印系统将墨水滴沉积到衬底上；检测衬底上沉积的墨水滴的沉积位置；将沉积位置与期望位置进行比较；确定沉积位置与期望位置之间的差异，并通过调整喷墨打印系统的参数对沉积位置与期望位置之间的差异进行补偿。本发明还提供了许多其他的方面。
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公开(公告)号：CN1896158A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610098839.9
申请日：2006-07-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C09D11/322
Abstract: 本发明提供了一种用于显示器的红色油墨。在一个方面中，所述红色油墨包含一种或多种红色有机颜料、一种或多种单体、一种或多种聚合物分散剂、以及一种或多种有机溶剂。在另一个方面中，所述红色油墨包含一种或多种红色有机颜料。一种或多种黄色颜料、一种或多种单体、一种或多种低聚物、一种或多种聚合物分散剂以及一种或多种有机溶剂。本发明还提供了形成显示器的方法以及包含红色油墨的显示器，所述方法包括将红色油墨通过喷墨分配到衬底上。
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公开(公告)号：CN114744048A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210217020.9
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L27/12 , G02F1/136
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
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公开(公告)号：CN105529238B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN109257933A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201780015869.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/56 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/54 , H01L21/677
Abstract: 叙述一种用于处理基板的设备(100)。该设备包含第一真空处理装置(101)、第二真空处理装置(102)、和支撑结构(103)，该支撑结构(103)配置在第一真空处理装置(101)和第二真空处理装置(102)之间的大气空间(108)中。
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公开(公告)号：CN107735507A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680025213.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于原位监控基板上的膜性质的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种沉积系统。所述沉积系统包括至少两个沉积腔室以及被特别设计以用于每一个沉积腔室的图案化掩膜，其中所述图案化掩膜的第一掩膜具有位于在第一掩膜上形成的图案外部并穿过第一掩膜而形成的第一开口，并且所述图案化掩膜的第二掩膜具有位于在第二掩膜上形成的图案外部并穿过第二掩膜而形成的第一开口，所述第二掩膜的第一开口的在所述第二掩膜上的位置与所述第一开口在所述第一掩膜上的位置不同。
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公开(公告)号：CN105144421A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022508.X
申请日：2014-04-21
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L51/0012 , C23C14/042 , G02B26/02 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本文所公开的实施方式大致上是有关于一种精细金属掩模的主动对准。所述精细金属掩模通过多个微致动器和框架连接。微致动器可以作用在精细金属掩模上，用以拉伸精细金属掩模、重新定位精细金属掩模或进行上述动作的组合。通过这样的方式，可以维持精细金属掩模相对于基板的位置与尺寸。
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