一种活性炭负载多孔二氧化硅材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118988248A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411033715.7

    申请日:2024-07-29

    Abstract: 本发明公开一种活性炭负载多孔二氧化硅材料及其制备方法和应用,该方法包括:将乙醇和水混合均匀,加入适量硅烷前驱体,再次混合均匀,制得硅烷前驱体溶液;将适量活性炭加入到硅烷前驱体溶液中,混合均匀,再加入引发剂,在一定搅拌条件下搅拌一段时间,使硅烷前驱体水解缩合反应生成二氧化硅并在活性炭上原位负载,得到活性炭负载二氧化硅;将活性炭负载二氧化硅分散到水中,加入保护剂,沸腾回流一段时间后冷却,再加入适量致孔剂,搅拌刻蚀一段时间,经洗涤、干燥、煅烧后,得到活性炭负载多孔二氧化硅材料。本发明材料吸附效果好,制备流程简单,二氧化硅与活性炭载体结合力更强,适合用于氯硅烷吸附除磷等场合,具有巨大的应用前景。

    SiO生产装置及生产方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115367762B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211165080.7

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种SiO生产装置及生产方法,包括:反应室,包括:反应室本体、压力检测机构、温度检测机构、第一称重机构、第一加热机构,反应室本体用于加入Si和SiO2发生升华反应生成SiO,反应室本体与第一吹扫气管道、废气管连接;连接通道,与反应室连接;沉积室,包括:沉积室本体、设置于沉积室本体内的沉积内件,沉积室本体与连接通道连接,沉积室本体与尾气管连接;气体分布器,与连接通道连接,气体分布器包括内层套筒、套置于内层套筒外的外层套筒,内层套筒与连接通道出口联通,外层套筒与第二吹扫气管道连接。通过自动控制,固化生产方法,稳定产品质量,从而提高产能,降低成本,提高产品质量,产品质量均一性好。

    SiO生产装置及生产方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115367762A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211165080.7

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种SiO生产装置及生产方法,包括:反应室,包括:反应室本体、压力检测机构、温度检测机构、第一称重机构、第一加热机构,反应室本体用于加入Si和SiO2发生升华反应生成SiO,反应室本体与第一吹扫气管道、废气管连接;连接通道,与反应室连接;沉积室,包括:沉积室本体、设置于沉积室本体内的沉积内件,沉积室本体与连接通道连接,沉积室本体与尾气管连接;气体分布器,与连接通道连接,气体分布器包括内层套筒、套置于内层套筒外的外层套筒,内层套筒与连接通道出口联通,外层套筒与第二吹扫气管道连接。通过自动控制,固化生产方法,稳定产品质量,从而提高产能,降低成本,提高产品质量,产品质量均一性好。

    一种硅片母合金的制备方法

    公开(公告)号:CN104947187B

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201410127558.6

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种硅片母合金的制备方法,该方法为将精制硅源气体与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种通入到流化床反应器内,并向流化床反应器内通入籽晶并使得该籽晶流体化,通过热分解反应制得硅片母合金,其中,第IIIA族元素为硼或铝,第VA族元素为磷或砷。该方法制得的硅片母合金为粒状的硅片母合金,可以进行连续加入原料,并降低生产的硅片母合金的成本,提高产量,现有技术中制得的硅片母合金为块状的整体,本发明有效地解决现有技术制得的硅片母合金在使用过程中无法准确称量及二次破碎过程中引入的二次污染问题。

    一种多晶硅还原炉的评价方法及装置

    公开(公告)号:CN118966051A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410973800.5

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉的评价方法及装置,该方法包括:根据多晶硅还原炉的几何模型,进行流场试验仿真模拟,得到待评价的流场数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到流场评价结果;在几何模型的基础上耦合电热模型,并进行能耗试验仿真模拟,得到待评价的能耗数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到能耗评价结果;根据控电方式进行控电试验仿真模拟,得到待评价的控电方式数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到控电方式评价结果;根据流场评价结果、能耗评价结果以及控电方式评价结果,确定多晶硅还原炉是否设计合理。本发明能够对多晶硅还原炉进行合理有效的评价,达到提高产能和运行稳定性,降低成本,提高产品质量的目的。

    一种铜硅系催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114011451B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202111445314.9

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法,所述铜硅系催化剂中包括:载体和活性组分;其中,所述活性组分为硅‑铜系多元合金,所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素,还包括M元素,所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小,有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中,四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应,使得催化反应时间大幅缩短,因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。

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