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公开(公告)号：CN119243097A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411233315.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子发生装置及控制方法，等离子发生装置包括：工艺腔体；载台，用于承载基片；所述载台安装在工艺腔体的底部；靶材背板安装在工艺腔体的顶部；直流电源，所述直流电源的负极与靶材背板连接，用于输出并向靶材背板施加第一负高压V负1；可控高压电源，所述可控高压电源的负极与高压电极板连接，用于输出并向高压电极板施加第二负高压V负2；所述第一负高压V负1和第二负高压V负2用于叠加产生靶材表面的高压电场；控制器，用于根据第一负高压V负1的电压变化控制可控高压电源自动调节第二负高压V负2；本发明有助于工艺气体辉光放电，促使等离子体形成；且能够提升原子利用率以及提升填孔工艺的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN119008489A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410942948.2
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本申请公开了一种双工位寻边机构及晶圆定位装置，晶圆定位装置包括双工位寻边机构、工作腔和晶圆传送机构，双工位寻边机构包括第一载具、第一旋转驱动组件、第二载具、第二旋转驱动组件和检测组件，第一载具和第二载具用于承接晶圆，载具接取晶圆后，通过对应的旋转驱动组件驱使其携晶圆旋转，待晶圆旋转至其上的缺口处于检测工位时，检测组件能够捕获缺口信息，从而确认晶圆被调整为预设状态；第一载具包括第一连接部和托爪，托爪设于第一连接部的下表面，第二载具包括第二连接部和顶柱，顶柱设于第二连接部的上表面，两组载具沿竖直方向相对设置、使得两片待寻边的晶圆能够就近安置，既能够优化设备结构，又有利于提高寻边效率。
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公开(公告)号：CN118814123A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411266656.8
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了具有选择溅射功能的靶材及提升膜厚均匀性的方法和应用，包括：基板，基板靠近衬底的一侧为正面，另一面为背面，正面开设有多圈凹槽，每圈包括多个凹槽；绝缘板，基板内部靠近背面处设置绝缘板，绝缘板内部设置有金属导线，金属导线连接靶材；靶材，靶材置于凹槽内，且低于正面的表面1mm以上，每圈靶材连接一根金属导线或者分别连接多根金属导线，金属导线引出连接电源；分别独立连接电源，能够独立控制不同区域靶材的功率；采用本发明具有选择溅射功能的靶材进行溅射，可以使带微孔和沟槽的衬底表面薄膜的台阶覆盖率显著提升；通过对各区域小靶材的选择性地单独通电及磁控溅射工艺，可以实现膜厚均匀性提升。
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公开(公告)号：CN115449763B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211023769.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请提供了一种磁控溅射用扇形磁铁结构以及磁控溅射设备，扇形磁铁结构包括：扇形底座、设置在扇形底座的第一部分上的第一安装组件、连接在第一安装组件中的第一磁铁组件、设置在扇形底座的第二部分上第二安装组件以及连接在第二安装组件中的第二磁铁组件，本申请可以调节产生的磁场的强度，从而适应不同靶材到衬底间距的磁控溅射，进而保证薄膜沉积的均匀性。
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公开(公告)号：CN118486630A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410942950.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种晶圆寻边装置，包括至少两组托片机构、旋转驱动机构和检测机构，通过设置多组托片机构，能够同时进行多片晶圆的寻边作业，提高寻边效率；托片机构包括托具和转具，旋转驱动机构包括旋转驱动件、主齿轮、副齿轮和位移驱动件，位移驱动件用于驱使副齿轮往返于第一工位和第二工位；副齿轮处于第一工位时，副齿轮与主齿轮和转具啮合、旋转驱动件能够驱使托片机构旋转，副齿轮处于第二工位时，托片机构不受旋转力；通过配套设置副齿轮与位移驱动件，每一组托片机构都能够独立地开始或结束旋转寻边，可控性强、寻边精度有保障；同时，实现了采用一组旋转驱动件即可满足多组托片机构独立作业的功能，结构可靠、控制简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117238744B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311503949.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆刻蚀设备，包括一级线圈和二级线圈、作业腔室、射频腔室、介质隔板和进气模块，一级线圈和二级线圈设于射频腔室中，反应气体能够通过进气模块进入作业腔室；工作时，一级线圈和二级线圈中的射频电流产生交变磁场，电磁效力能够透过介质隔板作用于反应气体、实现对气体电子的加速，从而产生等离子体，等离子体轰击晶圆、即可实现对晶圆的刻蚀；通过优化射频线圈的布置方式，优化了交变磁场的发生、作用范围和作用效果，能够促进反应气体离子化、促进气相沉积反应，进而优化晶圆的刻蚀效果和刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN117238744A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311503949.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种两级扩散射频装置及晶圆刻蚀设备，包括一级线圈和二级线圈、作业腔室、射频腔室、介质隔板和进气模块，一级线圈和二级线圈设于射频腔室中，反应气体能够通过进气模块进入作业腔室；工作时，一级线圈和二级线圈中的射频电流产生交变磁场，电磁效力能够透过介质隔板作用于反应气体、实现对气体电子的加速，从而产生等离子体，等离子体轰击晶圆、即可实现对晶圆的刻蚀；通过优化射频线圈的布置方式，优化了交变磁场的发生、作用范围和作用效果，能够促进反应气体离子化、促进气相沉积反应，进而优化晶圆的刻蚀效果和刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN116884890B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311150299.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒和控压部；刻蚀筒内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；控压部包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道。本申请能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力。
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公开(公告)号：CN115863131A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211447504.9
申请日：2022-11-18
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀装置，包括：反应腔，所述反应腔限定出反应空间；上电极，所述上电极设置于所述反应空间中，所述上电极与至少两个输出不同功率范围的上射频电源连接；通信器，所述通信器与至少两个所述上射频电源信号连接；控制器，所述控制器与所述通信器信号连接，用于通过所述通信器向所述上射频电源发送控制信号，以切换所述上电极输出的电源功率，调整所述反应空间中等离子轰击速率。本发明实施例提供的刻蚀装置，可根据刻蚀工艺的速率需求设置输出的射频功率，自动切换至适合最佳应用范围的射频电源，切换过程无需刻蚀中断，满足单反应腔的刻蚀装置能够适应多样化的工艺需求。
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公开(公告)号：CN115621146A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211353472.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于图像识别的衬底片的识别方法、装置、磁控溅射设备、计算机设备以及存储介质，方法包括：接收当前待处理产品的预设图像信息，获取所述当前待处理产品的当前表面的当前图像信息，将所述预设图像信息与所述当前图像信息进行比较，获取比较结，根据所述比较结果确定是否中断当前工艺流程，本发明通过利用图像识别技术对待处理产品进行自动识别，一方面可以避免人工识别带来的误差，提高识别精准度，避免产品损失，另一方面，本发明提供的方法可以在线实时进行，提高识别的效率，避免延长产品的加工时间。
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