公开(公告)号：CN111009488A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910936604.X

申请日：2019-09-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英 ,  福井章洋

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供切割芯片接合薄膜，其即使在制造后经过长时间之后也能够对割断后的带有粘接剂层的半导体芯片实现良好的拾取。切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层包含：聚合物，其具有来源于包含自由基聚合性官能团及除自由基聚合性官能团以外的第1官能团的交联剂的结构部，且维持前述自由基聚合性官能团的自由基聚合性；和，自由基聚合引发剂，其具有能够与前述第1官能团反应的第2官能团。

公开(公告)号：CN111004588A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910933903.8

申请日：2019-09-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英 ,  户崎裕

IPC: C09J7/38 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种在冷扩展时及常温扩展时、以及其之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和，粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，所述切割芯片接合薄膜的辐射线固化前的前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下基于纳米压痕法的硬度为0.04～0.3MPa，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、辐射线固化前的前述粘合剂层与前述粘接剂层之间的剥离力为0.3N/20mm以上。

公开(公告)号：CN109216211A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726671.4

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 靍泽俊浩 ,  小坂尚史 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  C09J7/24 ,  C09J7/29

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/27 ,  C09J7/245 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。

公开(公告)号：CN107227123A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710183427.3

申请日：2017-03-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  福井章洋 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J175/14 ,  C08G18/62 ,  C09J11/08 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683 ,  C08F220/18 ,  C08F8/30

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08F8/30 ,  C08F220/18 ,  C08G18/62 ,  C08L2205/025 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  C09J175/14 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2423/046 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68336 ,  C08F2220/281 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K7/26 ,  C08L33/00

Abstract: 本发明提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述切割芯片接合薄膜能够抑制在冷却扩展工序中芯片接合薄膜从切割片浮起，并且能够在拾取工序中从切割片适宜地剥离带芯片接合薄膜的半导体芯片。一种切割芯片接合薄膜，具有：切割片；和层叠在切割片上的芯片接合薄膜，切割片与芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内，切割片与芯片接合薄膜的‑15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内，芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的。

公开(公告)号：CN103289586A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310060678.4

申请日：2013-02-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  土生刚志 ,  龟井胜利

IPC: C09J7/02 ,  C09J123/14 ,  C09J123/10 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割工序中切削屑以及破片的产生受到抑制的切割用粘合片。本发明的切割用粘合片具备包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，该非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，该丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下。在优选的实施方式中，上述粘合剂层还包含结晶聚丙烯系树脂。

公开(公告)号：CN112143389B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202010563428.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  杉村敏正 ,  畠山义治 ,  吉田直子 ,  木村雄大

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，‑15℃下的Tanδ的值(A)相对于‑5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。

公开(公告)号：CN118496778A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310116829.7

申请日：2023-02-14

Applicant: 日东电工(上海松江)有限公司 ,  日东电工株式会社

Inventor： 徳山英幸 ,  丁坤远 ,  李旭 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J123/08 ,  C09J127/06 ,  C09J7/24 ,  C09D165/00 ,  C09D5/24

Abstract: 本申请涉及一种粘合片，其具有基材层和设置在所述基材层的一侧上的粘合剂层，所述粘合片在室温下在180°方向以10m/min的速度剥离时的剥离力为0.1～4.0N/20mm，在室温下在20°方向以10m/min的速度剥离时的剥离力为3.0～10.0N/20mm。本发明的粘合片具有优良的粘合性能、电性能、力学性能和透明性，并且当应用于芯片生产时可以使芯片具有优良的转印性。

公开(公告)号：CN115368836A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210404186.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  吉田直子

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。

公开(公告)号：CN108949051B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810482239.5

申请日：2018-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  福井章洋 ,  杉村敏正

IPC: C09J7/25 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。

公开(公告)号：CN111826100A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010299872.8

申请日：2020-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  福井章洋 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供在冷扩展时及常温扩展时、以及之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述粘合剂层中，前述粘接剂层密合侧的表面的水接触角为110°以下、算术平均表面粗糙度Ra为1.0μm以下。