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公开(公告)号：CN101955737A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229677.4
申请日：2010-07-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , Y10T428/2495 , Y10T428/26 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的目的在于提供一种表面保护片，其能够改善对于突起电极的追随性，实现良好的晶圆粘接性，同时能够有效防止片材剥离时的晶圆破损。一种表面保护片，其为在表面具有10～150μm的突起电极的半导体晶圆的表面保护片，其在基材的一个面上具有由多个层构成的粘合剂层，该粘合剂层在所述表面保护片剥离时具有10～100MPa的25℃下的贮能弹性模量，且具有1.0N/20mm以下的对于硅镜面晶圆的粘合力。
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公开(公告)号：CN101859692A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010142167.3
申请日：2010-04-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , C09J7/02 , C09J133/08
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B3/28 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B25/042 , B32B25/06 , B32B25/08 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/10 , B32B27/16 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/283 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B29/06 , B32B2255/10 , B32B2255/12 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2307/50 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2467/006 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法。本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括将包含依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中，将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至该半导体晶片，并且与该压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。
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公开(公告)号：CN101712852A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910174156.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/78 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/18 , C03B33/0222 , C03B33/091 , C08K5/0025 , C08K5/07 , C08K5/17 , C08K5/51 , C08K5/5397 , C09J7/385 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y02P40/57 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法。本发明提供激光加工用压敏粘合片，其包括基材和设置于所述基材一个表面上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层具有50cm-1至900cm-1的在波长355nm处的吸收系数，所述压敏粘合剂层包含光吸收剂，其中所述光吸收剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度为0.01至1.20，和其中所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用。
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公开(公告)号：CN101568611A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001164.9
申请日：2008-10-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , G01R31/26 , H01L21/301 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种粘合片，是在基材薄膜上设有粘合剂层的粘合片，其特征在于，所述基材薄膜由导电性纤维形成，在所述粘合剂层和基材薄膜之间形成有电导通路径。由此，即便在贴合有半导体晶片、或通过切割半导体晶片而形成的半导体芯片的状态下，也可以进行电导通检查，可以防止该检查中半导体晶片的变形(翘曲)或破损、背面的瑕疵或划痕的产生。
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公开(公告)号：CN101568610A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001162.X
申请日：2008-10-09
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J9/02 , G01R31/26 , H01L21/301 , H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0735 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2255/205 , B32B2262/106 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2264/108 , B32B2307/202 , B32B2307/516 , B32B2307/518 , C09J7/38 , C09J9/02 , C09J2201/36 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , G01R31/2853 , H01L21/67132 , H01L21/67253
Abstract: 本发明的检查用粘合片，是在基材薄膜上设有粘合剂层的检查用粘合片，所述基材薄膜和粘合剂层具有导电性，在两者之间设有电导通路径。由此，即使在贴合了半导体晶片或通过半导体晶片的切割而形成的半导体芯片的状态下，也可以进行电导通检查，可以防止该检查中的半导体晶片的变形(翘曲)或破损、背面的瑕疵或划痕的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101215448A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810002428.4
申请日：2008-01-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G18/672 , C08L61/00 , C08L2666/16 , C09D175/16 , C09J7/385 , C09J133/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2852 , Y10T428/2883 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种稳定的粘合片，该粘合片不论半导体装置等的树脂组成如何、添加剂的种类、脱模剂的种类及其量如何，照射紫外线和/或放射线后，都会显示稳定的粘合力降低，另外，几乎可以完全防止在树脂表面残留粘糊。本发明的半导体基板加工用粘合片包括：对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的胶粘剂层，其中，上述胶粘剂层是使用具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体而形成的，并且上述具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合成在总平均分子量225～8000下含有一个双键，所述总平均分子量由上述多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合物的重均分子量求出。
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公开(公告)号：CN101165131A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710180858.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: C09J11/06 , C09J7/38 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/67005 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和/或基板加工用粘合片具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。
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公开(公告)号：CN101157830A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710153171.8
申请日：2007-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C09J7/22 , C09J7/241 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2205/114 , C09J2423/006 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/24355 , Y10T428/28
Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用的台面局部附着，从而容易且高效地进行之后的工序。本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接触减少层而构成。
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公开(公告)号：CN105428293B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510977766.X
申请日：2011-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述切割带为在基材上至少设置了粘合剂层的构造，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述粘合剂层上，其中所述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的粘合力通过用放射线照射而降低，相对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的所述粘合剂层的粘合力为0.02N/20mm～10N/20mm，形成所述粘合剂层的放射线固化型粘合剂为丙烯酸类粘合剂，所述倒装芯片型半导体背面用膜添加了颜料或染料。
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公开(公告)号：CN105428293A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510977766.X
申请日：2011-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/54486 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , Y10T428/1467 , Y10T428/1471 , Y10T428/28 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述切割带为在基材上至少设置了粘合剂层的构造，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述粘合剂层上，其中所述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的粘合力通过用放射线照射而降低，相对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的所述粘合剂层的粘合力为0.02N/20mm～10N/20mm，形成所述粘合剂层的放射线固化型粘合剂为丙烯酸类粘合剂，所述倒装芯片型半导体背面用膜添加了颜料或染料。
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