公开(公告)号：CN106574033B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201580043734.0

申请日：2015-09-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 田村护 ,  中岛诚 ,  榎本智之

IPC: C08G18/48

CPC classification number: C09D175/08 ,  C08G18/4879 ,  C08G18/4887 ,  C08G18/5015 ,  C08G18/5051 ,  C08G18/8077 ,  C09D183/06 ,  H05K3/285

Abstract: 本发明提供被覆于基板，用于形成低温加热时可获得良好的电绝缘性、耐热性、耐溶剂性的膜的膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法是一种膜形成用组合物，其包含聚合物(A)和化合物(B)，上述聚合物(A)包含式(1)：AA(式(1)中，T1表示亚芳基、或亚芳基与T0的组合，T0表示亚烷基、氟亚烷基、羰基、磺酰基、或它们的组合，R1表示羧基、氨基、或亚氨基。n1表示1～6的整数。)所示的单元结构，上述化合物(B)具有至少2个异氰酸酯基或封端异氰酸酯基。聚合物(A)为包含式(1)所示的单元结构、或者作为该式(1)所示的单元结构与式(2)：BB所示的单元结构的组合的(A‑1)结构的聚合物。

公开(公告)号：CN107429109A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018918.6

申请日：2016-03-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 田村护 ,  榎本智之

IPC: C09D171/10 ,  C08G65/40 ,  C09D7/12 ,  G03F7/023 ,  G03F7/027 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的课题是提供含有新聚合物的树脂组合物和使用该树脂组合物的图案形成方法、以及前述聚合物的合成方法。为此，提供了一种绝缘膜形成用树脂组合物，含有具有下述式(1a)表示的结构单元以及下述式(1b)表示的结构单元的聚合物和有机溶剂。[式中，T0表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团，所述亚芳基的至少1个氢原子被氨基取代了，T1表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团，所述亚芳基具有至少1个下述式(2)表示的取代基，Z表示可以具有取代基的二价的、脂肪族基、芳香族基或脂环基。]。

公开(公告)号：CN105051105A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017846.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 田村护 ,  大桥拓矢 ,  榎本智之

IPC: C08L61/34 ,  C08G59/40 ,  C08L63/00 ,  C09J11/04 ,  C09J161/34 ,  C09J163/00

CPC classification number: C08G73/06 ,  C08G59/40 ,  C08K3/013 ,  C08K5/54 ,  C08K5/544 ,  C08K9/06 ,  C08L61/34 ,  C08L63/00 ,  C08L79/04 ,  C09J161/34 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  C08K3/0033

Abstract: 本发明的课题是提供一种新型的热固性树脂组合物。解决手段是一种热固性树脂组合物，含有具有至少一种下述式(1)所示的结构单元的聚合物。{式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，X表示单键或2价有机基团，Y表示下述式(2)所示的亚芳基。(式(2)中，Z1表示羰基或-CONH-基，Z2表示碳原子数1～5的亚烷基、或至少含有1个氮原子的5元环或6元环的2价的饱和杂环基，Z3表示至少1个氢原子可被碳原子数1～5的烷基取代的、含有2个氮原子的5元环或6元环的芳香族杂环基。)}。

公开(公告)号：CN101558358B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780046176.9

申请日：2007-12-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤雅一 ,  滨田贵广 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

公开(公告)号：CN101144972B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200710153319.8

申请日：2007-09-14

Applicant: 豪雅株式会社 ,  日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本雅广 ,  榎本智之 ,  坂口崇洋 ,  坂本力丸 ,  永井雅规

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F1/78 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明提供可控制转印用掩模的转印图案线宽的设计尺寸与在基板上形成的转印图案线宽尺寸之差，且可将线性控制在10nm以下的掩模图案和掩模。本发明提供了一种掩模坯板，其具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的化学放大型的抗蚀剂膜，其特征在于，在上述薄膜和抗蚀剂膜之间具有保护膜，所述保护膜可阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内移动。

公开(公告)号：CN101541880B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780044045.7

申请日：2007-11-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂口崇洋 ,  榎本智之 ,  新城彻也

IPC: C08L25/00 ,  C08F212/32 ,  C08F226/12 ,  C08F232/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F226/12 ,  C09D125/02 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/08

Abstract: 为了防止随着抗蚀剂图案微细化而抗蚀剂图案在显影之后倒塌，本发明提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物适用于利用薄膜抗蚀剂的多层膜工艺，且干蚀刻速度小于抗蚀剂、半导体基板，并在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。本发明还提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，在利用含有下述聚合物的多层膜的光刻工艺中使用，所述聚合物含有具有芳香族稠环的结构单元、具有被保护的羧基的结构单元、具有含氧环的结构单元，并提供使用该形成抗蚀剂下层膜的组合物的形成图案的方法、以及使用形成图案的方法的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101541880A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780044045.7

申请日：2007-11-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂口崇洋 ,  榎本智之 ,  新城彻也

IPC: C08L25/00 ,  C08F212/32 ,  C08F226/12 ,  C08F232/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F226/12 ,  C09D125/02 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/08

Abstract: 为了防止随着抗蚀剂图案微细化而抗蚀剂图案在显影之后倒塌，本发明提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物适用于利用薄膜抗蚀剂的多层膜工艺，且干蚀刻速度小于抗蚀剂、半导体基板，并在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。本发明还提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，在利用含有下述聚合物的多层膜的光刻工艺中使用，所述聚合物含有具有芳香族稠环的结构单元、具有被保护的羧基的结构单元、具有含氧环的结构单元，并提供使用该形成抗蚀剂下层膜的组合物的形成图案的方法、以及使用形成图案的方法的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101248391A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680031047.8

申请日：2006-08-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂口崇洋 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/091

Abstract: 为了防止伴随抗蚀剂图形的微细化的抗蚀剂图形在显影后的塌陷，本发明的课题在于提供一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，其应用于利用薄膜抗蚀剂进行的多层膜工序，具有小于光致抗蚀剂、半导体基板的干蚀刻速度，在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。为了解决上述课题，本发明提供一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物，其含有下述聚合物，所述聚合物含有乙烯基萘类单元结构和下述丙烯酸类单元结构，所述丙烯酸类单元结构含有芳香族性羟基或含羟基酯。进而提供一种形成涂布型下层膜的组合物，其含有下述丙烯酸类单元结构，所述丙烯酸类单元结构含有含脂肪族环状化合物的酯或含芳香族化合物的酯。

公开(公告)号：CN1977220A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021444.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  坂口崇洋 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  C08F12/14 ,  C08F216/06 ,  C08F216/14 ,  C08F220/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物，和溶剂。

公开(公告)号：CN1954265A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015398.5

申请日：2005-05-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 畑中真 ,  木村茂雄 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168

Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，其用于形成在半导体器件制造的光刻工序中使用的、可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：具有至少2个乙烯基醚基的化合物、具有至少2个酚性羟基或羧基的碱可溶性化合物、光酸发生剂和溶剂。