-
公开(公告)号：CN101026366A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078706.X
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明可提高压电薄膜器件的特性。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)包含不能单独承受自重的压电体薄膜(111)，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)。作为构成压电薄膜器件(111)的压电体材料，最好是从水晶、铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、氧化锌、铌酸钾以及硅酸镓镧中选择的、不包含晶粒边界的单晶材料。
-
公开(公告)号：CN101026365A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078708.9
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。
-
-
公开(公告)号：CN111052415A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
-
公开(公告)号：CN111052413A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108291329B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680068330.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L33/32
Abstract: 结晶基板1包括：由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含：在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下，低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下，高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3～1019/cm3，厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。
-
-
公开(公告)号：CN105453352A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043674.8
申请日：2014-06-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/125 , G02B6/124 , H01S5/02252 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/141
Abstract: 外部谐振器型发光装置具备使半导体激光振荡的光源、及与该光源构成外部谐振器的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导路，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其在光波导路内形成；及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)～式(4)的关系。
-
公开(公告)号：CN105393336A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480034478.4
申请日：2014-07-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B9/12 , C30B29/38 , H01L21/20
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/12 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/007
Abstract: 一种复合基板，具备：多晶陶瓷基板，直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板，通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜，以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。
-
公开(公告)号：CN104242054A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410253003.6
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01S5/125 , G02B6/124 , H01S5/02252 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/141
Abstract: 外部谐振器型发光装置具备用于使半导体激光振荡的光源、及构成该光源和外部谐振器的光栅元件。光源具备用于使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导路，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其在光波导路内形成；及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)-式(4)的关系。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.022 seconds)
