公开(公告)号：CN101030046B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710086161.7

申请日：2007-03-05

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 李骐范 ,  金柄郁 ,  朴美仙 ,  洪振燮 ,  任润吉 ,  尹锡壹

IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C02F9/10 ,  C02F1/66 ,  C02F1/58 ,  C02F1/04

摘要： 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，其特别适于经济性较好地对使用含各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。所述再生装置适用于该再生方法。本发明所述的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物以胺-酸化合物的形式从剥离废液中析出；(b)将上述(a)工序中析出的胺-酸化合物从剥离废液中滤出的工序；和(c)对上述(b)工序中除去胺的剥离废液进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。

公开(公告)号：CN101156111B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680011131.3

申请日：2006-04-04

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

摘要： 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN101071267A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710096934.X

申请日：2007-04-19

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 金东敏 ,  金柄郁 ,  朴大然 ,  金周赫 ,  崔基植 ,  金贞元 ,  李起范 ,  卞哲基 ,  金纹秀 ,  金炳厚 ,  边滋勋 ,  申在浩

IPC分类号： G03F7/016 ,  G03F7/004

摘要： 本发明涉及一种用于制造液晶显示装置的电路、半导体集成电路等微细电路的光致抗蚀剂组合物，具体地涉及一种包含(a)由下述化学式1表示的酚醛清漆树脂、(b)重氮类感光性化合物、(c)有机溶剂的光致抗蚀剂组合物。在化学式1中，R表示氢、羟基或甲基，n是3至20的整数。本发明所涉及的光致抗蚀剂组合物，由于加入了酚醛清漆树脂，因而具有可提高光致光致抗蚀剂的耐热性及图案均匀性的效果。所述酚醛清漆树脂由间甲酚、对甲酚、及邻羟苯甲醛缩聚合而成。

公开(公告)号：CN103019050B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

申请人： 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC分类号： G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC分类号： G03F7/168 ,  C11D11/0047

摘要： 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。

公开(公告)号：CN102103334B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010594494.2

申请日：2010-12-15

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 辛成健 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  权五焕 ,  朴善周

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，特别涉及一种包含具有环状胺结构的咪唑烷化合物，所以抗蚀剂剥离性能非常优秀，并且对金属的防腐蚀效果突出，从而可以使图案形成过程中元件的金属布线的腐蚀达到最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。

公开(公告)号：CN104281017A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410259171.6

申请日：2014-06-11

申请人： 三星电机株式会社 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 曹恩仁 ,  吴龙洙 ,  李秀兴 ,  孙命赞 ,  池营植 ,  李胎坤 ,  李庚相 ,  郑世桓 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  黄钟源

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法。本发明的干膜抗蚀剂剥离剂组合物以规定的混合比含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H2O)，能够完全除去干膜抗蚀剂，同时能够防止金属层的腐蚀，且具有剥离剂可再使用的优点。

公开(公告)号：CN101315521B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200810109365.2

申请日：2008-06-02

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 吕泰勋 ,  金柄郁 ,  尹赫敏 ,  崔相角 ,  崔守延 ,  丘冀赫 ,  尹柱豹 ,  金东明 ,  李浩真 ,  申洪大 ,  李东赫 ,  金成卓 ,  郑大众

IPC分类号： G03F7/012 ,  G03F7/028 ,  G03F7/00

摘要： 本发明提供一种感光性树脂组合物，该感光性树脂组合物能够实现显影后的平整度、分辨率、耐热性、透过率等性能优异的有机绝缘膜，特别是能够实现高灵敏度的有机绝缘膜，由此通过缩短工序时间而能够提高生产率，不仅如此，同时该感光性树脂组合物能够使膜柔软而提高耐冲击性。本发明涉及感光性树脂组合物，特别是涉及一种感光性树脂组合物，其特征在于，该感光性树脂组合物包含0.1重量％～10重量％的选自由邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、己二酸二辛酯、磷酸三甲苯酯以及2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇单异丁酸酯组成的组中的一种以上的化合物作为灵敏度增强剂。

公开(公告)号：CN102576192A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080048213.1

申请日：2010-10-21

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 尹柱豹 ,  金柄郁 ,  尹赫敏 ,  丘冀赫 ,  吕泰勋 ,  申洪大 ,  李相勋 ,  金东明 ,  崔守延 ,  金珍善 ,  禹昌旼 ,  金弘锡

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/022 ,  G02F1/13

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G03F7/0233

摘要： 本发明涉及感光性树脂组合物，特别是涉及一种感光性树脂组合物，其为用于形成层间有机绝缘膜的正型感光性树脂组合物，其特征在于，含有选自a)UV稳定剂、b)自由基清除剂、以及c)抗氧化剂中的1种以上的化合物。本发明的感光性树脂组合物用作TFT-LCD的层间有机绝缘膜，不仅能在光取向用液晶工序中进行过渡曝光时改善液晶变形现象，而且容易调节图案的分辨率，特别适合层间有机绝缘膜的平坦化膜形成。

公开(公告)号：CN1920672B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610111383.5

申请日：2006-08-24

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金玮溶 ,  许舜范

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种用于去除光致抗蚀剂和透明导电膜的剥离液组合物。具体地，本发明提供一种能去除半导体装置上透明导电膜的有机酸类透明导电膜去除剂及由有机胺及溶剂组成的双组分以上的剥离液组合物中包含上述去除剂的剥离液组合物。该组合物还可再含有作为抗离析剂使用的乙二醇醚化合物。本发明组合物中含有有机酸类透明导电膜去除剂，由此可去除透明导电膜。而且，上述透明导电膜去除剂中含有硫磺，也可作为防腐剂使用，可防止下部金属膜的金属布线的腐蚀，由此在保存由目前的LCD制备过程所制作出的金属图案的条件下，可以去除已形成图案的光致抗蚀剂，并有选择地或全部地去除涂敷在金属布线上光致抗蚀剂上的透明电极和位于金属布线上的透明电极。

公开(公告)号：CN102103334A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010594494.2

申请日：2010-12-15

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 辛成健 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  权五焕 ,  朴善周

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，特别涉及一种包含具有环状胺结构的咪唑烷化合物，所以抗蚀剂剥离性能非常优秀，并且对金属的防腐蚀效果突出，从而可以使图案形成过程中元件的金属布线的腐蚀达到最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。