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公开(公告)号：CN112436021A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011380786.6
申请日：2016-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。
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公开(公告)号：CN106471610B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201580033176.X
申请日：2015-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/318 , H01L21/471 , H01L21/473 , H01L29/786 , H01L21/316
Abstract: 在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
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公开(公告)号：CN112038410A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010813126.6
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜包括其In的原子个数比大于M（M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的原子个数比的第一区域，第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域，第二区域包括薄于第一区域的部分。
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公开(公告)号：CN111602253A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880081313.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/477
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一绝缘层及第一导电层。半导体层具有岛状的顶面形状。第一绝缘层以与半导体层的顶面及侧面接触的方式设置。第一导电层位于第一绝缘层上并具有与半导体层重叠的部分。另外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含氧化物。半导体层具有与第一导电层重叠的第一区域以及不与第一导电层重叠的第二区域。第一绝缘层具有与第一导电层重叠的第三区域以及不与第一导电层重叠的第四区域。另外，第二区域及第四区域包含磷或硼。
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公开(公告)号：CN111446259A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911299399.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111129039A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911375684.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号：CN110581070A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910694618.5
申请日：2013-06-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。
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公开(公告)号：CN104934483B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510349006.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
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公开(公告)号：CN107406966A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013345.8
申请日：2016-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/08 , G09F9/30 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm-2eV-1的区域。
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公开(公告)号：CN107210226A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008319.6
申请日：2016-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。
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