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公开(公告)号：CN1548393A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN200410043458.1
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C03C3/064 , C03C3/091 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/20 , C04B35/443 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , C04B35/03 , C04B35/443 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/087 , H01B3/12 , H01L2224/16235 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块，玻璃粉末包含约13－50％重量的按SiO2计算的二氧化硅、约8－60％重量的按B2O3计算的氧化硼、0－约20％重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10－55％重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得，可以和Ag或Cu烧结制得，具有低的介电常数和高Q值，适合在高频范围使用。
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公开(公告)号：CN1334255A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01122799.0
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/195 , C04B35/443 , C03C3/064 , C03C3/091 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , C04B35/03 , C04B35/443 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/087 , H01B3/12 , H01L2224/16235 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块,玻璃粉末包含约13－50%重量的按Si2O计算的二氧化硅、约8－60%重量的按B2O3计算的氧化硼、0－约20%重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10－55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
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公开(公告)号：CN119968589A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202480004171.3
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 光耦合器的制造方法包括：准备工序，准备具有在第1方向（DIR1）上排列的第1主面（SU11）以及第2主面（SU12）的透光性基板（11）；第1涂敷工序，在第1主面（SU11）涂敷包含第1填料（P1）的第1感光性玻璃膏（12）；掩模工序，在第2主面（SU12）配置以二值模式形成的灰度掩模（10）；曝光工序，向第2主面（SU12）照射紫外线，使第1感光性玻璃膏（12）曝光；显影工序，从第2主面（SU12）取下灰度掩模（10），使第1感光性玻璃膏（12）显影；以及固化工序，从显影后的第1感光性玻璃膏（12）取下透光性基板（11），使第1感光性玻璃膏（12）固化。第1填料（P1）的最长长度（r1）比紫外线的波长长。
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公开(公告)号：CN118575110A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089418.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及的光学构件具备：第1光学元件(12、14)，包含介质(M1、M2)和设置在介质内且具有非球形形状的多个填料(P1、P2)，使在介质内通过的光的行进方向变化；以及保持部(16)，保持光纤，使得从第1光学元件出射的光入射到光纤(100)的端面。
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公开(公告)号：CN101346310A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049222.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C01B33/22 , B82Y30/00 , C03C10/0009 , C04B35/20 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/407 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种可以以较低温烧结、可以制造经济上有利的特性良好的镁橄榄石粉末的镁橄榄石粉末的制造方法。混合镁源、硅源和Cu粒子，制作以300～2000wtppm的范围含有Cu粒子的混合粉末，烧成该混合粉末。作为镁源，使用Mg(OH)2，作为硅源，使用SiO2。成为结晶结构为多结晶的镁橄榄石粉末。在溶剂的存在下混合镁源、硅源和Cu粒子，配制混合粉末。另外，以300～2000wtppm的比例含有Cu。粒径成为0.20～0.40μm的范围。另外，构成镁橄榄石的结晶直径成为0.034～0.040μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1266062C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410043458.1
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C03C3/064 , C03C3/091 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/20 , C04B35/443 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , C04B35/03 , C04B35/443 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/087 , H01B3/12 , H01L2224/16235 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块，玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的二氧化硅、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化硼、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得，可以和Ag或Cu烧结制得，具有低的介电常数和高Q值，适合在高频范围使用。
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公开(公告)号：CN1209771C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN01110961.0
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , C03C8/14 , C04B35/053 , C04B35/443 , H01G4/1209 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4629 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种绝缘体陶瓷组合物，可在1000℃的低温焙烧，并可与银和铜一起焙烧，由此得到的烧结体具有优异的机械强度，Q值高，适合在高频使用。该绝缘体陶瓷组合物由(A)MgO-MgAl2O4陶瓷粉末，其重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4表示，式中，10≤x≤90，10≤y≤90且x+y＝100(B)玻璃粉末，该玻璃粉末含有约13-50重量%的氧化硅(以SiO2计)、约3-60重量%的氧化硼(以B2O3计)和约0-20重量%的氧化铝(以Al2O3计)组成，其中，所述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比约为20∶80至80∶20。
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公开(公告)号：CN1197822C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN01122799.0
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/195 , C04B35/443 , C03C3/064 , C03C3/091 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , C04B35/03 , C04B35/443 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/087 , H01B3/12 , H01L2224/16235 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块，玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的二氧化硅、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化硼、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得，可以和Ag或Cu烧结制得，具有低的介电常数和高Q值，适合在高频范围使用。
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公开(公告)号：CN1188367C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01122798.2
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/443 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/195 , C03C3/064 , C03C3/089 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01B3/12 , B32B18/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , C04B35/443 , C04B35/64 , C04B37/001 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01B3/087 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , Y10S428/901 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24917 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种可通过低温烧制获得的绝缘陶瓷压块，它具有低的相对介电常数和优良的高频特性，能与热膨胀系数高的材料共烧结。这种绝缘陶瓷压块是MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的烧制混合物，其中，MgAl2O4晶相与Mg3B2O6晶相和Mg2B2O5晶相中至少一种晶相以主晶相析出。
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公开(公告)号：CN1360320A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01143780.4
申请日：2001-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468 , B32B18/00 , B32B2307/204 , B32B2457/00 , C03C14/004 , C04B35/50 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/562 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , H01L23/49894 , H01L2224/48091 , H01L2924/09701 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4688 , H05K2201/09672 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8 x 18,52.5 y 65,20 z 40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
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