公开(公告)号：CN115440564A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210587398.8

申请日：2022-05-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木大地 ,  森川泰宏 ,  土居谦太 ,  中村敏幸

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够控制谐振点的位置且能够使谐振点靠近线圈天线的输出端的等离子体处理装置。具备：ICP天线(21)，具备输入端(21I)和输出端(21O)；串联电路，通过将附加电感器(24)与可变电容器(25)串联连接而成；以及控制装置(33)，对可变电容器(25)的电容进行变更，输入端(21I)经由天线用匹配器(22)与天线用电源(23)连接，输出端(21O)与附加电感器(24)连接，附加电感器(24)经由可变电容器(25)与接地端连接。

公开(公告)号：CN114068320A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110879598.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 土居谦太 ,  作石敏幸 ,  中村敏幸 ,  森川泰宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种硅的干蚀刻方法。在本发明的硅的干蚀刻方法中，准备硅基板，形成在所述硅基板上具有开口的掩模图案，根据所述掩模图案，导入第一气体以在所述硅基板上形成沉积层，根据所述掩模图案，导入第二气体对所述硅基板进行干蚀刻处理以在所述硅基板的表面形成凹部图案，导入第三气体对所述硅基板进行灰化处理。

公开(公告)号：CN105917457B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580005167.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村敏幸 ,  森口尚树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  相原强

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。