公开(公告)号：CN107109618A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004832.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  井堀敦仁 ,  松本昌弘 ,  谷典明 ,  岩井治宪 ,  岩田贤二 ,  佐藤良直

IPC: C23C14/02 ,  H05H1/46

Abstract: 基板处理装置，具备：阳极单元(17)，包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a)，通过使气体穿过第一贯穿孔流动，从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a)，从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。

公开(公告)号：CN106715751A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580038502.6

申请日：2015-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  井堀敦仁 ,  松本昌弘 ,  谷典明 ,  岩井治宪

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/3411

Abstract: 基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。

公开(公告)号：CN104822857A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201480003237.3

申请日：2014-01-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  松本昌弘 ,  新井真 ,  真濑江理子 ,  岩井治宪 ,  高桥康司 ,  井堀敦仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3497 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)。