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公开(公告)号：CN106715751B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201580038502.6
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。
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公开(公告)号：CN104822857B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480003237.3
申请日：2014-01-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/50 , C23C14/02 , C23C14/34 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/345 , C23C14/50 , C23C14/568 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/34 , H01J37/3464 , H01J37/3497 , H01L21/67109 , H01L21/6838
Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型
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公开(公告)号：CN108138312B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780003366.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 成膜装置具备：靶材(31)，包含磁性材料；搬送部(14)，支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R)，配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域；以及第一磁场形成部(20)，相对于配置区域(R)位于靶材(31)的相反侧，对配置区域(R)在靶材(31)所在的一侧形成平行于摇动方向(Ds)的水平磁场(HM)，并在摇动方向(Ds)的至少配置区域(R)的一端与另一端之间沿着摇动方向(Ds)使水平磁场(HM)摇动，摇动方向(Ds)是沿着基板(S)的一个方向。
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公开(公告)号：CN102132418A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133228.5
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元(4)的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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公开(公告)号：CN108138312A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201780003366.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 成膜装置具备：靶材(31)，包含磁性材料；搬送部(14)，支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R)，配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域；以及第一磁场形成部(20)，相对于配置区域(R)位于靶材(31)的相反侧，对配置区域(R)在靶材(31)所在的一侧形成平行于摇动方向(Ds)的水平磁场(HM)，并在摇动方向(Ds)的至少配置区域(R)的一端与另一端之间沿着摇动方向(Ds)使水平磁场(HM)摇动，摇动方向(Ds)是沿着基板(S)的一个方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106661722A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580038441.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , B65G49/06 , C23C14/56 , H01L21/285 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/022 , C23C14/50 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3417 , H01L21/67109 , H01L21/67173 , H01L21/67706 , H01L21/67712 , H01L21/6776 , H01L21/6831 , H05K3/16 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/0158
Abstract: 基板处理装置(10)具备溅射装置(70)。溅射装置具备：溅射腔室；两个靶材(72)，其设于溅射腔室内，用于通过溅射在基板(15)的两个成膜面(15a、15b)上形成薄膜；以及搬送机构，其沿设于溅射腔室内的搬送路(32)搬送基板。两个靶材中的一个在搬送方向的前级上以与基板的两个成膜面中的一个相对的方式配置在搬送路的一侧。两个靶材中的另一个在搬送方向的后级上以与基板的两个成膜面中的另一个相对的方式配置在搬送路的另一侧。
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公开(公告)号：CN102132416A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132750.1
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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公开(公告)号：CN107109618B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201680004832.8
申请日：2016-06-08
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 基板处理装置，具备：阳极单元(17)，包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a)，通过使气体穿过第一贯穿孔流动，从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a)，从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。
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公开(公告)号：CN107109618A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004832.8
申请日：2016-06-08
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 基板处理装置，具备：阳极单元(17)，包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a)，通过使气体穿过第一贯穿孔流动，从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a)，从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。
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公开(公告)号：CN106715751A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580038502.6
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/541 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/3411
Abstract: 基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。
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