公开(公告)号：CN115464546A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210565266.5

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 青木一史 ,  丸野尚纪 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  加藤裕也 ,  高武恭平 ,  向田慎二 ,  富坂学 ,  石原康生 ,  中泽秀作 ,  山口哲司

IPC: B24B37/00 ,  B24B1/00

Abstract: 提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。

公开(公告)号：CN107002235A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065538.3

申请日：2015-11-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 加福一彰 ,  佐野幸浩 ,  林孝幸 ,  富坂学 ,  寺亮之介

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  F01N13/16

CPC classification number: C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45555 ,  F01N13/08 ,  F01N13/16 ,  F01N13/18 ,  F01N2510/08

Abstract: 涂层构造具备金属制的基材(1)、设于基材上的基底(2)以及设于基底上的绝缘膜(3)。绝缘膜具有由彼此不同的材质构成的多个膜(31、32)，多个膜交替地层叠。基底通过采用在基材上发生的表面化学反应的涂层方法以外的方法形成，在基底中，与基材接触的部位是非结晶的。由此，即使在基材上附着有异物的情况下，也能够通过基底覆盖异物。并且，在该基底上设置绝缘膜，从而能够抑制由异物产生的绝缘膜的形成不良。

公开(公告)号：CN102034743B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010502834.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  加藤英寿 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/306 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/27 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/52 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。

公开(公告)号：CN101996957B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010258186.2

申请日：2010-08-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福冈大辅 ,  手岛孝纪 ,  真光邦明 ,  坂本健 ,  富坂学 ,  藤井哲夫 ,  田井明 ,  赤松和夫 ,  西畑雅由

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L24/01 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。

公开(公告)号：CN101261946B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810082457.6

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101707193A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910225920.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。