公开(公告)号：CN101789381B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010129988.3

申请日：2008-03-06

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN101789381A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010129988.3

申请日：2008-03-06

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。

公开(公告)号：CN102097344A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010515003.0

申请日：2010-10-18

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  田井明 ,  赤松和夫 ,  福田丰

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L29/66333 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于制造半导体装置(10)的方法包括使用切削工具(30)切削树脂绝缘层(13)中形成于半导体衬底(11)的表面(11a)上的一部分。切削树脂绝缘层(13)的一部分包括切削树脂绝缘层(13)中具有其上布置了金属层(15)的表面的部分。切削树脂绝缘层(13)的部分以这种方式执行，即在树脂绝缘层(13)内部沿着切削工具(30)的刃部(30a)和刃部(30a)的周边部分的应力分布中，最大值的90％处的宽度不大于1.3μm。

公开(公告)号：CN100432645C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610005464.7

申请日：2006-01-17

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  渡边善文 ,  田中宏明

IPC分类号： G01L9/04

摘要： 一种制备压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27-29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27-29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27-29)。

公开(公告)号：CN102034743A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502834.4

申请日：2010-09-29

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  加藤英寿 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01B11/06 ,  G01B11/306 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/27 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/52 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。

公开(公告)号：CN101996957A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010258186.2

申请日：2010-08-18

申请人： 株式会社电装

发明人： 福冈大辅 ,  手岛孝纪 ,  真光邦明 ,  坂本健 ,  富坂学 ,  藤井哲夫 ,  田井明 ,  赤松和夫 ,  西畑雅由

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/492 ,  H01L24/01 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。

公开(公告)号：CN1808086A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005464.7

申请日：2006-01-17

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  渡边善文 ,  田中宏明

IPC分类号： G01L9/04

摘要： 一种制造压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27－29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27－29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27－29)。

公开(公告)号：CN102044417B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201010292890.X

申请日：2010-09-25

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  龟山美知夫 ,  深谷辉和 ,  加藤和人 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。

公开(公告)号：CN102044417A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010292890.X

申请日：2010-09-25

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  龟山美知夫 ,  深谷辉和 ,  加藤和人 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。

公开(公告)号：CN101261946A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082457.6

申请日：2008-03-06

申请人： 株式会社电装

发明人： 富坂学 ,  小岛久稔 ,  新美彰浩

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。