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公开(公告)号：CN1199270C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01140933.9
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 一种层叠型半导体器件，由分别包含半导体集成电路芯片且具有规格的多个半导体集成电路器件层叠而成，其中：在至少三个以上的半导体集成电路器件中，至少两个的除尺寸以外的上述规格的数值不同，且按除尺寸以外的上述规格的数值的大小的顺序进行层叠。
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公开(公告)号：CN1575514A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821110.3
申请日：2002-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , IBIDEN股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
Abstract: 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。
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公开(公告)号：CN1286146C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02119009.7
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70633 , B23K26/04 , B23K26/042 , B23K2101/40 , G03F9/7076 , Y10S430/146 , Y10T29/413
Abstract: 一种激光加工装置，其特征在于包括：发出选择地去除在被加工衬底上形成的膜的一部分的激光的激光振荡器；将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的激光扫描照射系统；以及使从上述激光振荡器发出的激光仅对上述被加工衬底的必须去除的区域的膜垂直入射的入射装置。
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公开(公告)号：CN1619812A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410094613.2
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 一种层叠型半导体器件，由至少三个分别包含半导体集成电路芯片且具有规格的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：上述半导体集成电路器件中，至少两个的除尺寸以外的上述规格的数值不同，且最下层的或最上层的半导体集成电路器件的除尺寸以外的规格的数值为最小或最大。
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公开(公告)号：CN1375860A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02119009.7
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70633 , B23K26/04 , B23K26/042 , B23K2101/40 , G03F9/7076 , Y10S430/146 , Y10T29/413
Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括:发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100521134C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN02821110.3
申请日：2002-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , IBIDEN股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
Abstract: 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。
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公开(公告)号：CN101150114A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710180904.7
申请日：2001-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。
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公开(公告)号：CN1348207A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01140937.1
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/76819
Abstract: 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。
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公开(公告)号：CN1619812B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200410094613.2
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明提供一种层叠型半导体器件，由至少三个分别包含半导体集成电路芯片且具有规格参数的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：上述半导体集成电路器件中，至少两个上述半导体集成电路器件的从耗电量、工作电压、工作电压数、工作电流、保证工作温度、产生电磁波量、工作频率、可以与设在与其他半导体集成电路器件或搭载有上述半导体集成电路器件的衬底基板之间的空间中的连接材料相连接的接线端子数目、接线端子间距、和厚度中选择的规格参数的数值不同，且最下层的或最上层的半导体集成电路器件的上述规格参数的数值为最小或最大。
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公开(公告)号：CN1316562C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN01119694.7
申请日：2001-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B05C5/005
Abstract: 一种成膜装置，备有：药液喷出喷嘴，对被处理衬底连续地喷出药液；气体喷出部，配置在该药液喷嘴下方，对从该喷嘴喷出的药液吹气，通过该气体的压力使药液的轨迹改变；药液回收部，相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置，回收由该喷出部使轨迹改变的药液；和移动部，使所述液体喷出喷嘴和所述被处理衬底相对移动。所述气体喷出部备有：激光振荡器，使激光振荡；和气体发生膜，由所述振荡器照射的激光加热气化产生所述气体。
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