-
公开(公告)号：CN100521134C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN02821110.3
申请日：2002-11-27
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , IBIDEN股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
摘要： 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。
-
公开(公告)号：CN1575514A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821110.3
申请日：2002-11-27
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , IBIDEN股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
摘要： 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。
-
公开(公告)号：CN101126768B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610131830.3
申请日：2002-11-27
申请人： 东京毅力科创株式会社 , IBIDEN股份有限公司
CPC分类号： G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
摘要： 本发明涉及一种挤压件，其具备接触器、晶片固定装置以及存放在该晶片固定装置上的半导体晶片(W)，该接触器具有耐热片基以及在该耐热片基上形成的导体电路，被用来在不低于160℃的温度下执行可靠性评估测试，该耐热片基的热膨胀系数为1～50ppm/℃，在使该接触器的连接衬垫部分和半导体晶片的电极衬垫完全接触的状态下，将该晶片固定装置、该半导体晶片及该接触器组合成一体。
-
公开(公告)号：CN101126768A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200610131830.3
申请日：2002-11-27
申请人： 东京毅力科创株式会社 , IBIDEN股份有限公司
CPC分类号： G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
摘要： 本发明涉及一种挤压件，其具备接触器、晶片固定装置以及存放在该晶片固定装置上的半导体晶片(W)，该接触器具有耐热片基以及在该耐热片基上形成的导体电路，被用来在不低于160℃的温度下执行可靠性评估测试，该耐热片基的热膨胀系数为1～50ppm/℃，在使该接触器的连接衬垫部分和半导体晶片的电极衬垫完全接触的状态下，将该晶片固定装置、该半导体晶片及该接触器组合成一体。
-
公开(公告)号：CN100416817C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN01132599.2
申请日：2001-09-07
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02307 , H01L21/02315 , H01L21/3122 , H01L21/76838 , H01L24/11 , H01L2224/13099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , Y10S438/959 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2924/01004 , H01L2924/00014
摘要： 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C-H键和C-C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C-H键的C原子和形成C-C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。
-
-
公开(公告)号：CN1197144C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01140937.1
申请日：2001-09-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/76819
摘要： 在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。
-
-
公开(公告)号：CN1199270C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01140933.9
申请日：2001-09-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L2224/16145
摘要： 一种层叠型半导体器件，由分别包含半导体集成电路芯片且具有规格的多个半导体集成电路器件层叠而成，其中：在至少三个以上的半导体集成电路器件中，至少两个的除尺寸以外的上述规格的数值不同，且按除尺寸以外的上述规格的数值的大小的顺序进行层叠。
-
公开(公告)号：CN1187481C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00804253.5
申请日：2000-12-25
IPC分类号： C25D7/12
CPC分类号： H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
摘要： 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.045 秒)