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公开(公告)号：CN110470713B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910596899.0
申请日：2019-07-03
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01N27/327 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的葡萄糖传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和栅极金属层；在所述的源电极和漏电极表面及侧面生长保护层；所述的栅金属电极不在源漏金属电极间；在所述的源和漏金属电极间的空栅区域固定化学修饰层；修饰层包括自组装分子膜、金纳米颗粒和葡萄糖氧化酶。本发明利用氮化镓/铝镓氮界面处可产生高浓度高迁移率的二维电子气对表面纵向微小电荷的变化有输出和放大的作用，通过有序排列在自组装分子膜表面的金纳米颗粒，在葡萄糖酶的催化下，葡萄糖会分解成葡萄糖酸和电子，不同浓度的葡萄糖产生的电子不同，源极和漏极的输出电流不同，从而测试葡萄糖的浓度。
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公开(公告)号：CN112420759B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202011243957.0
申请日：2020-11-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76
摘要： 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。
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公开(公告)号：CN116895711A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310929886.7
申请日：2023-07-27
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L21/268
摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开一种利用皮秒激光器减薄的4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器自下而上包括肖特基接触电极、n型外延层、N型缓冲层、N型衬底、N型欧姆接触电极。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器的衬底经过皮秒激光器高效减薄，并以未减薄的衬底作为整体的支撑，更有利于粒子穿透，对于低能粒子的能量分辨和粒子鉴别能力优异，可用于核辐射探测领域对更大范围能量的粒子进行探测与甄别。
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公开(公告)号：CN114597273A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210198261.3
申请日：2022-03-02
申请人： 中国科学院高能物理研究所 , 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/117 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。
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公开(公告)号：CN112345615A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011213032.1
申请日：2020-11-03
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01N27/414 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 本发明属于气体传感器技术领域，提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的氢气传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和Pd/Pt层。本发明利用当氢气吸附在Pd/Pt层上分解为氢原子传递到界面处，氢原子在界面极化吸附以后所产生的电场将引起表面纵向电荷的变化，进而调制异质结界面处二维电子气浓度，改变源漏电极的输出电流，从而测试氢气的浓度。而且本发明具有操作简单，所制备的氢气传感器稳定性好和成本低等优势，所制备的氢气传感器质量好，能够保持良好的性能且该氢气传感器可以在较为宽松的湿度环境中进行测试，不会影响其输出。制备环境条件要求简单，可稳定制备。
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公开(公告)号：CN108493292A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810338112.6
申请日：2018-04-12
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极。本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN107093643A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710205623.6
申请日：2017-04-05
申请人： 大连理工大学 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/117 , H01L31/035281 , H01L31/1848
摘要： 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN103469299B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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公开(公告)号：CN103456603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN104916684A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510319284.5
申请日：2015-06-11
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7789 , H01L29/1033 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/66462
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本发明能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。
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