公开(公告)号：CN103972107A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410187512.3

申请日：2014-05-05

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/161

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66803

摘要： 本发明提出一种具有SiGe源漏的FinFET及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Si鳍形结构；在Si鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Si鳍形结构；向Si鳍形结构注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGe层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGe源漏的FinFET，其SiGe源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103972106A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410187123.0

申请日：2014-05-05

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明提出一种具有SiGe源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Si层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Si层；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGe层。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGe源漏的场效应晶体管，其中SiGe源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103972104A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410186582.7

申请日：2014-05-05

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66803

摘要： 本发明提出一种具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Si鳍形结构；向Si鳍形结构注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层；在SiGe层上形成栅堆叠结构。根据本发明的形成方法，可以得到具有厚度较薄、质量较好的SiGe沟道区的FinFET，该方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103840006A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410064550.X

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161

摘要： 本发明提出一种具有GeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层；在GeSn层上形成栅堆叠结构。根据本发明的形成方法，可以得到具有厚度较薄、质量较好的GeSn沟道区的FinFET，该方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839980A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410063185.0

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge层；向Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGeSn层。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的场效应晶体管，其中SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839832A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410064598.0

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提出一种具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成GeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有GeSn源漏的FinFET，其GeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839831A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410064584.9

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66568 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种具有GeSn沟道的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层；在GeSn层之上形成栅堆叠结构，并在栅堆叠结构两侧形成源和漏。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有GeSn沟道的场效应晶体管，其中GeSn沟道的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839828A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410063273.0

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 王敬 ,  肖磊 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66568 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层；在SiGeSn层之上形成栅堆叠结构，并在栅堆叠结构两侧形成源和漏。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGeSn沟道的场效应晶体管，其中SiGeSn沟道的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839788A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410064556.7

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 肖磊 ,  王敬 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/02565

摘要： 本发明提出一种SiGeSn层及其形成方法。该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。

公开(公告)号：CN103839774A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410063268.X

申请日：2014-02-25

申请人： 清华大学

发明人： 肖磊 ,  王敬 ,  赵梅 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/161

CPC分类号： H01L21/02535 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/161

摘要： 本发明提出一种SiGeSn层及其形成方法。该方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层。本方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。