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公开(公告)号：CN103582718B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201280024469.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/16 , C07F15/0046 , C23C16/30 , H01L21/28556
Abstract: 本发明是一种化学蒸镀原料用的有机钌化合物，其由十二羰基三钌(DCR)构成，其特征是，铁(Fe)的浓度为1ppm以下。本发明的DCR可通过使钌盐和一氧化碳反应而将钌直接羰基化成粗DCR，并且采用升华法对粗DCR进行纯化来制造。该合成工序中，所得粗DCR的Fe浓度较好为10ppm以下。
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公开(公告)号：CN104936903A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005368.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C07F15/0046 , C01G55/008 , C23C16/16 , C23C16/45553
Abstract: 本发明为十二羰基三钌(DCR)的制造方法，在包括用一氧化碳将氯化钌羰基化的工序的十二羰基三钌的制造方法中，相对于所述氯化钌的氯元素，向反应体系中添加0.8摩尔当量以上的胺，在反应温度为50℃～100℃、反应压力为0.2MPa～0.9MPa下进行羰基化。根据本发明，可以在不使用高压反应条件下来制造杂质金属残留少的十二羰基三钌。
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公开(公告)号：CN1526853A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03120260.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Inventor： 斋藤昌幸
IPC: C23C16/14
Abstract: 一种低压化学气相蒸接装置，包括：容纳作为原料的金属化合物的容体、通过对该容体加热使有机金属化合物气化从而生成原料气体的加热装置、容纳析出薄膜的基板的反应器、使反应器处于低压氛围的排气泵、对来自于反应器的使用过的原料气体进行冷却的冷槽，其特征在于，所述冷槽在使用过的原料流动的流道内具有蜂窝结构的筒体。
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公开(公告)号：CN104350061B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380029958.7
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , B01J23/44 , C07C7/12 , C07C7/163 , C07C13/263 , C07C13/42 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
CPC classification number: C07F15/0046 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/462 , B01J25/02 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
Abstract: 本发明提供一种化学蒸镀用有机钌化合物的回收再利用方法，其从经过了薄膜形成工序的、已用过的原料中提取未反应的有机钌化合物，所述方法包括以下工序(a)～(c)。(a)改质工序，其中，在氢气氛中，使所述已用过的原料与加氢催化剂接触，从而对已用过的原料中氧化了的有机钌化合物进行加氢。(b)吸附工序，其中，通过使所述已用过的原料与吸附剂接触，从而除去已用过的原料中的杂质。(c)复原工序，其中，在相对于有机钌化合物的分解温度为‑100℃以上且‑10℃以下的温度下，对所述已用过的原料加热8小时以上，从而调整已用过的原料中的有机钌化合物的异构体比率。
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公开(公告)号：CN103874705B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280050214.9
申请日：2012-10-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , C07C13/263 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086 , C23C16/4485 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜，该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此，R1和R2特别优选丙基和甲基、丙基和乙基、或乙基和甲基的组合中的任一种。式中，R1、R2为烷基，R1和R2不同。另外，R1、R2的碳原子数合计为3～5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104768911B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201380056089.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明为一种从在不对称β?二酮化合物中混有至少1种对称β?二酮化合物的β?二酮化合物中萃取不对称β?二酮化合物的方法，其含有(A)将所述β?二酮化合物和水的混合溶液的pH调为11.5以上，使β?二酮化合物溶于水制成β?二酮化合物溶液的工序，以及(B)接着，将所述β?二酮化合物溶液的pH调为9.5以下，回收从所述β?二酮化合物溶液中分离的化学式1的不对称β?二酮化合物的工序。本发明进一步含有(a)：在(A)工序时，将混合溶液的pH的上限设定为12.5制成β?二酮化合物溶液，使其与疏水性溶剂接触的工序、以及(b)：在(B)工序时，将β?二酮化合物溶液的pH的下限设定为8.0的工序的至少任一者。
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公开(公告)号：CN104768911A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380056089.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明为一种从在不对称β-二酮化合物中混有至少1种对称β-二酮化合物的β-二酮化合物中萃取不对称β-二酮化合物的方法，其含有(A)将所述β-二酮化合物和水的混合溶液的pH调为11.5以上，使β-二酮化合物溶于水制成β-二酮化合物溶液的工序，以及(B)接着，将所述β-二酮化合物溶液的pH调为9.5以下，回收从所述β-二酮化合物溶液中分离的化学式1的不对称β-二酮化合物的工序。本发明进一步含有(a)：在(A)工序时，将混合溶液的pH的上限设定为12.5制成β-二酮化合物溶液，使其与疏水性溶剂接触的工序、以及(b)：在(B)工序时，将β-二酮化合物溶液的pH的下限设定为8.0的工序的至少任一者。
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公开(公告)号：CN103582718A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280024469.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/16 , C07F15/0046 , C23C16/30 , H01L21/28556
Abstract: 本发明是一种化学蒸镀原料用的有机钌化合物，其由十二羰基三钌(DCR)构成，其特征是，铁(Fe)的浓度为1ppm以下。本发明的DCR可通过使钌盐和一氧化碳反应而将钌直接羰基化成粗DCR，并且采用升华法对粗DCR进行纯化来制造。该合成工序中，所得粗DCR的Fe浓度较好为10ppm以下。
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公开(公告)号：CN101356181B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200780001370.5
申请日：2007-09-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/02 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0046 , C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28556
Abstract: 本发明是用于通过化学气相沉积法制造钌薄膜或钌化合物薄膜的有机钌化合物，它是以下式表示的钌上配位了芳烃基和降冰片二烯的有机钌化合物；式中，芳烃基的作为取代基的R1～R6为氢或烷基，R1～R6的碳数的总和(R1+R2+R3+R4+R5+R6)在6以下。本发明是不需要作为反应性气体的氧气的共存且常温下为液体的处理性、再循环性良好的化学气相沉积用的有机钌化合物。
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公开(公告)号：CN1309860C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03120260.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Inventor： 斋藤昌幸
IPC: C23C16/14
Abstract: 一种低压化学气相沉积装置，包括：容纳作为原料的金属化合物的容体、通过对该容体加热使有机金属化合物气化从而生成原料气体的加热装置、容纳析出薄膜的基板的反应器、使反应器处于低压氛围的排气泵、对来自于反应器的使用过的原料气体进行冷却的冷槽，其特征在于，所述冷槽在使用过的原料流动的流道内具有蜂窝结构的筒体。本发明的薄膜制造方法使用上述低压化学气相沉积装置。
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