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公开(公告)号:CN105247098A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201380076725.2
申请日:2013-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种化学沉积用原料,其熔点低,具有在气化阶段中不会热分解的热稳定性,且在成膜阶段中在低温下易于分解,并且能够稳定地形成杂质少的镍薄膜。本发明涉及包含有机镍化合物的化学沉积用原料,该有机镍化合物中环戊二烯基或其衍生物、以及在环烷基的碳骨架中具有一个烯丙基的环烯基或其衍生物与镍配位。该原料熔点低且具有适度的热稳定性,并且可在低温下成膜。此外,因为蒸气压高,因此适用作具有三维结构的立体型电极用材料。
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公开(公告)号:CN103492399A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280019154.4
申请日:2012-04-16
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086
Abstract: 本发明是一种有机铂化合物,该有机铂化合物用于通过化学蒸镀法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,其特征在于,是以下式表示的、由己二烯或己二烯衍生物以及烷基阴离子与2价的铂配位而成的有机铂化合物。下式中,作为取代基的R1、R2为烷基;R1、R2可以不同;此外,R3、R4为氢或烷基;R3、R4可以不同。本发明的铂化合物的稳定性良好,在成膜时不会产生有毒物质,因此处理性也良好,实用性优异。此外,其蒸气压高,能进行低温下的成膜,作为容易进行立体结构上的成膜的CVD原料有用。[化1]
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公开(公告)号:CN107532294B
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201680026945.8
申请日:2016-05-09
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07C211/21 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及下述所示的由在2价铂上配位有烯基胺及烷基阴离子的有机铂化合物构成的化学蒸镀用原料。在下述中,n为1以上5以下。烯基胺的取代基R1至R5分别为氢原子、烷基等,并且它们的碳原子数均为4以下。烷基阴离子R6及R7分别为碳原子数为1以上3以下的烷基。本发明的原料的蒸气压较高,可在低温下制造铂薄膜,同时也兼具适度的热稳定性。
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公开(公告)号:CN103492399B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201280019154.4
申请日:2012-04-16
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086
Abstract: 本发明是一种有机铂化合物,该有机铂化合物用于通过化学蒸镀法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,其特征在于,是以下式表示的、由己二烯或己二烯衍生物以及烷基阴离子与2价的铂配位而成的有机铂化合物。下式中,作为取代基的R1、R2为烷基;R1、R2可以不同;此外,R3、R4为氢或烷基;R3、R4可以不同。本发明的铂化合物的稳定性良好,在成膜时不会产生有毒物质,因此处理性也良好,实用性优异。此外,其蒸气压高,能进行低温下的成膜,作为容易进行立体结构上的成膜的CVD原料有用。
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公开(公告)号:CN107532294A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680026945.8
申请日:2016-05-09
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07C211/21 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及下述所示的由在2价铂上配位有烯基胺及烷基阴离子的有机铂化合物构成的化学蒸镀用原料。在下述中,n为1以上5以下。烯基胺的取代基R1至R5分别为氢原子、烷基等,并且它们的碳原子数均为4以下。烷基阴离子R6及R7分别为碳原子数为1以上3以下的烷基。本发明的原料的蒸气压较高,可在低温下制造铂薄膜,同时也兼具适度的热稳定性。
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公开(公告)号:CN104350061B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201380029958.7
申请日:2013-06-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , B01J23/44 , C07C7/12 , C07C7/163 , C07C13/263 , C07C13/42 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
CPC classification number: C07F15/0046 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/462 , B01J25/02 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
Abstract: 本发明提供一种化学蒸镀用有机钌化合物的回收再利用方法,其从经过了薄膜形成工序的、已用过的原料中提取未反应的有机钌化合物,所述方法包括以下工序(a)~(c)。(a)改质工序,其中,在氢气氛中,使所述已用过的原料与加氢催化剂接触,从而对已用过的原料中氧化了的有机钌化合物进行加氢。(b)吸附工序,其中,通过使所述已用过的原料与吸附剂接触,从而除去已用过的原料中的杂质。(c)复原工序,其中,在相对于有机钌化合物的分解温度为‑100℃以上且‑10℃以下的温度下,对所述已用过的原料加热8小时以上,从而调整已用过的原料中的有机钌化合物的异构体比率。
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公开(公告)号:CN103874705B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280050214.9
申请日:2012-10-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , C07C13/263 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086 , C23C16/4485 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料,其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此,R1和R2特别优选丙基和甲基、丙基和乙基、或乙基和甲基的组合中的任一种。式中,R1、R2为烷基,R1和R2不同。另外,R1、R2的碳原子数合计为3~5。
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公开(公告)号:CN105247098B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201380076725.2
申请日:2013-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种化学沉积用原料,其熔点低,具有在气化阶段中不会热分解的热稳定性,且在成膜阶段中在低温下易于分解,并且能够稳定地形成杂质少的镍薄膜。本发明涉及包含有机镍化合物的化学沉积用原料,该有机镍化合物中环戊二烯基或其衍生物、以及在环烷基的碳骨架中具有一个烯丙基的环烯基或其衍生物与镍配位。该原料熔点低且具有适度的热稳定性,并且可在低温下成膜。此外,因为蒸气压高,因此适用作具有三维结构的立体型电极用材料。
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公开(公告)号:CN104350061A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201380029958.7
申请日:2013-06-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , B01J23/44 , C07C7/12 , C07C7/163 , C07C13/263 , C07C13/42 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07C49/92
CPC classification number: C07F15/0046 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/462 , B01J25/02 , C07C45/79 , C07C45/85 , C07F15/0053 , C07C49/92
Abstract: 本发明提供一种化学蒸镀用有机钌化合物的回收再利用方法,其从经过了薄膜形成工序的、已用过的原料中提取未反应的有机钌化合物,所述方法包括以下工序(a)~(c)。(a)改质工序,其中,在氢气氛中,使所述已用过的原料与加氢催化剂接触,从而对已用过的原料中氧化了的有机钌化合物进行加氢。(b)吸附工序,其中,通过使所述已用过的原料与吸附剂接触,从而除去已用过的原料中的杂质。(c)复原工序,其中,在相对于有机钌化合物的分解温度为-100℃以上且-10℃以下的温度下,对所述已用过的原料加热8小时以上,从而调整已用过的原料中的有机钌化合物的异构体比率。
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公开(公告)号:CN103874705A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201280050214.9
申请日:2012-10-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C07F15/00 , C07C13/263 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/0086 , C23C16/4485 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料,其用于通过化学气相沉积法制造铂薄膜或铂化合物薄膜,该化学气相沉积用原料包含由下式所示的、环辛二烯及烷基阴离子与2价铂配位的有机铂化合物。在此,R1和R2特别优选丙基和甲基、丙基和乙基、或乙基和甲基的组合中的任一种。式中,R1、R2为烷基,R1和R2不同。另外,R1、R2的碳原子数合计为3~5。
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