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公开(公告)号：CN113073383A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110268770.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于液相外延法生长石榴石单晶单面厚膜的衬底夹具，包括固定支架、环形连接件、多条铂金柱；固定支架通过连接杆与液相外延设备的提拉杆连接，并同时与环形连接件固定连接；环形连接件下方固定连接多条均匀、竖直分布的铂金柱；每个铂金柱内侧设置截面为半圆形的支撑件，用于放置衬底，每个铂金柱的外侧设置凹槽，用于通过铂丝固定衬底。本发明在铂金柱底部设置高度一致的支撑件，以保证衬底水平放置；铂金柱外侧设置凹槽，通过缠绕铂丝进一步固定衬底。本发明衬底夹具可实现衬底基片绝对水平放置，进而精确控制衬底的位置，实现液相外延衬底单面生长单晶厚膜，单面生长厚膜可有效降低厚膜生长过程中的晶格失配，更加有利于厚膜的生长。
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公开(公告)号：CN113050742A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110265917.4
申请日：2021-03-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种精密恒流源电路，属于射频微波技术领域。包括：具有升降压功能的升降压电源芯片，电源输入滤波电容，分压电阻，反馈电路，电源输出滤波电容，负载，内部具有ADC模块的微处理器和数字电位器，反馈电路包括采样电阻和运放。相较于传统的恒流源电路，本发明精密恒流源电路实现方式简单，电流精度高，且可以实现射频微波芯片要求电流快速跳变的目的；同时，通过微处理器来控制不同电流输出，具有电流限值保护，可以实现更通用型恒流源的需求。
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公开(公告)号：CN109023527B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811000028.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。
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公开(公告)号：CN111730924A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2-1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN107146761B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710312918.3
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/4763 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法，该方法，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石(GGG)上生长的高质量单晶钇铁石榴石(YIG)作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延(MBE)技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。该方法简单可行的，所制得的钇铁石榴石/铋异质薄膜相对于无铋薄膜的钇铁石榴石(YIG)的磁光克尔转角显著增大；本发明相比在YIG中铋的置换掺杂，制备工艺简单，为异质结型磁光材料的制备与研究提供了一种新的方法，在光通信、磁光存储等众多领域有广泛的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109437087B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811298649.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，属于微波电子设备技术领域。所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。本发明提供的一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器中，磁性薄膜层具有面外磁各向异性，相比于传统的基于面内磁各向异性的磁性材料，在相同的驱动电流密度下，面外磁各向异性磁性材料能够获得更大的磁矩进动角和微波输出功率；同时，通过调节电流强度可实现不同功率的高频微波输出，输出微波信号性能良好，且结构简单，功耗低，与CMOS工艺相兼容，易于集成。
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公开(公告)号：CN107244916B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710355178.1
申请日：2017-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种铌酸盐系低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波电子陶瓷材料及其制备领域。包括主晶相和占主晶相重量百分比为1％～4％的锌硼玻璃，所述主晶相为Ni1‑xZnxTiNb2O8，其中，0.2≤x≤0.8；所述锌硼玻璃以其标准物计的含量为：ZnO 50mol％～70mol％，HBO3 30mol％～50mol％。本发明提供的陶瓷材料在900～950℃烧结良好，其介电常数εr＝32～35，Q×f＝13000～21000GHz，谐振频率温度系数τf＝‑15～+6ppm/℃，可广泛应用于LTCC叠层微波器件中。
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公开(公告)号：CN107675131B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710838725.1
申请日：2017-09-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，属于柔性薄膜制备技术领域。首先，在Si基底上沉积SmCo永磁薄膜；然后将得到的薄膜在600～900℃温度下进行退火处理；最后将退火处理后的SmCo永磁薄膜采用剥离的方式实现从Si基片上转移至柔性衬底上的过程，即可得到所述柔性基SmCo永磁薄膜。本发明利用SmCo永磁薄膜和Si基片的热膨胀系数差异大、附着力较弱的特点，提出了通过剥离的方式实现将SmCo永磁薄膜从Si基片上转移至柔性衬底上的方法，操作简单，成本低，易于实现。
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公开(公告)号：CN110635204A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910800734.0
申请日：2019-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽阻带高抑制带通腔体滤波器，属于微波器件领域。所述腔体滤波器为一个带通梳状滤波器，由谐振腔、谐振柱、调谐螺钉、输入输出结构以及两侧盖板组成，其特征在于，所述带通梳状滤波器的每根谐振柱上均设置哑铃型横杆，且所有横杆位于同一高度上，通过横杆间的间隙电容完成谐振单元间的耦合；两侧盖板上设置多个尺寸相同的、与谐振柱开路端的顶部齐平的矩形金属块，每根谐振柱的两侧的矩形金属块呈对称分布，哑铃型横杆对矩形金属块呈半包围结构。本发明通过哑铃型横杆之间进行耦合，可以对滤波器的寄生通带产生抑制能力，使得滤波器到五次谐波均能产生良好抑制，从而实现了宽阻带高抑制带通腔体滤波器。
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公开(公告)号：CN108389718B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810112294.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。
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