半导体器件及其制造方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110783298A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911011130.4

    申请日:2014-06-03

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件,所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层,所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层,所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接,且所述主金属层形成在所述底层金属层上,其中,所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此,在本发明中,在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。

Patent Agency Ranking