公开(公告)号：CN103167748A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210513035.6

申请日：2012-12-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 六波罗真仁 ,  足立研 ,  冈修一 ,  松本一治 ,  柳川周作 ,  堀内悟志

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K3/02 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/162 ,  H05K2203/175

Abstract: 本发明公开了一种电路板的制造方法。所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。根据本发明，提供了能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。

公开(公告)号：CN104241234B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201410242276.0

申请日：2014-06-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松本一治 ,  大鸟居英

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此，在本发明中，在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。

公开(公告)号：CN104241234A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410242276.0

申请日：2014-06-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松本一治 ,  大鸟居英

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此，在本发明中，在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。

公开(公告)号：CN102737842A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210080606.1

申请日：2012-03-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松本一治 ,  柳川周作 ,  堀内悟志 ,  冈修一

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/002 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种薄膜电容器、安装基板以及该安装基板的制造方法。所述薄膜电容器包括：两个电极层；电介质膜，其介于所述两个电极层之间；开口部，其在厚度方向上贯穿所述两个电极层中至少一个电极层或者贯穿与所述两个电极层中至少一个电极层邻近的处于同一层中的导电层，并贯穿所述电介质膜；以及加固元件，其在所述开口部中将所述电介质膜的侧表面连接到被贯穿的所述电极层的侧表面或被贯穿的所述导电层的侧表面。为此，本发明能够防止电介质膜与上部电极和/或下部电极之间的剥离。

公开(公告)号：CN108604591A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780009915.0

申请日：2017-01-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松本一治 ,  柳川周作 ,  五十岚崇裕 ,  一木洋

IPC: H01L27/144 ,  H01L33/00 ,  H04N5/369 ,  G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02 ,  H01L31/08

CPC classification number: G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/08 ,  H01L33/00 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明的摄像装置设有：基板；以及多个器件部，多个器件部分别包括光电转换器，所述多个器件部彼此隔开地布置在所述基板上，所述光电转换器整体上形成凹形。

公开(公告)号：CN106716612A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580048381.3

申请日：2015-09-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 足立研 ,  松本一治 ,  儿玉健 ,  冈修一 ,  大鸟居英 ,  斋藤一成 ,  佐藤圭

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18

Abstract: 根据本技术的一个实施例的制造安装基板的方法包括以下三个步骤：(1)在半导体层上形成多个电极并且然后在面对电极的每个位置处形成一个焊料凸块的步骤；(2)利用涂层覆盖所述焊料凸块并且使用涂层作为掩模选择性地蚀刻半导体层以将半导体层分离成多个元件的步骤；(3)去除涂层并且然后将多个元件安装在布线基板上以便焊料凸块面向布线基板从而形成安装基板的步骤。

公开(公告)号：CN102164258B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201010595655.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 六波罗真仁 ,  冈修一 ,  松本一治 ,  柳川周作

IPC: H04N5/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/162 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12034 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开一种电路基板层叠模块及电子设备。本发明提供的装置包括：在基板上的多个电路元件；在该多个电路元件的至少两个之间的屏蔽元件；以及连接元件，将该屏蔽元件电连接到该基板上的半导体芯片的接地电路。

公开(公告)号：CN110783298B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201911011130.4

申请日：2014-06-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 松本一治 ,  大鸟居英

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此，在本发明中，在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。

公开(公告)号：CN105474396A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046020.0

申请日：2014-08-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 五十岚崇裕 ,  畑田出穗 ,  儿玉健 ,  足立研 ,  冈修一 ,  御手洗俊 ,  大岛居英 ,  柳川周作 ,  松本一治

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14685

Abstract: 提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。

公开(公告)号：CN102164258A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010595655.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 六波罗真仁 ,  冈修一 ,  松本一治 ,  柳川周作

IPC: H04N5/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/162 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12034 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开一种电路基板层叠模块及电子设备。本发明提供的装置包括：在基板上的多个电路元件；在该多个电路元件的至少两个之间的屏蔽元件；以及连接元件，将该屏蔽元件电连接到该基板上的半导体芯片的接地电路。