用于处理基底的设备和半导体制造设备

    公开(公告)号:CN117080112A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310541625.8

    申请日:2023-05-15

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 提供了一种用于处理基底的设备和一种半导体制造设备,所述用于处理基底的设备包括:处理腔室,配置为提供处理空间;流体供应装置,配置为向所述处理腔室供应超临界流体;流体排放装置,配置为从所述处理腔室排放所述超临界流体;以及控制装置,配置为控制所述流体供应装置和所述流体排放装置的操作,其中,所述流体供应装置包括连接到所述处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到所述处理腔室的下部部分的第二供应管线,并且所述控制装置配置为执行多个第一循环,在所述多个第一循环中,所述超临界流体经由所述第一供应管线和所述第二供应管线交替地供应到所述处理空间中,以将所述处理空间中的压力升高到设定的压力。

    用于处理基板的方法及设备
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115083955A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210239103.8

    申请日:2022-03-11

    IPC分类号: H01L21/67 F26B21/10 F26B21/14

    摘要: 本发明涉及用于处理基板的方法及设备。本发明构思提供一种用于处理基板的方法。用于处理基板的方法包含:加压步骤,用于在将基板放入内部空间之后,通过向内部空间供应处理流体来增大腔室的内部空间的压力;流动步骤,用于通过将处理流体供应给内部空间及从内部空间排放处理流体的组合来产生处理流体的流动;及减压步骤,通过从内部空间排放处理流体来降低内部空间的压力,且加压步骤包含:底面供应工艺,通过将处理流体供应给被放入内部空间中的基板的背面来增大内部空间的压力;及顶面供应工艺,通过向放入到内部空间中的基板的顶面供应处理流体来增大内部空间的压力。