公开(公告)号：CN111048401A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910962253.X

申请日：2019-10-11

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海园 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种用于清洁基板的组合物。根据一个实施方式，用于清洁基板的组合物包含有机溶剂，该有机溶剂针对聚苯乙烯胶乳的汉森溶解度参数为5以上至12以下。

公开(公告)号：CN116994981A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202210442568.3

申请日：2022-04-25

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔基熏 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  成进荣 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  元俊皓

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；供应管线，在所述供应管线上安装有第一开/关阀，并且该供应管线配置成向所述处理空间供应处理流体；加热器，其安装在所述供应管线上并配置成加热所述处理流体；排出管线，在所述排出管线上安装有第二开/关阀，并且该排出管线配置成对所述处理空间进行排放；以及控制器，其配置成控制所述第一开/关阀和所述第二开/关阀，使得在所述处理空间中对基板执行处理工艺之前，将所述加热的处理流体供应到所述处理空间和从所述处理空间排出。

公开(公告)号：CN110896043A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910852522.7

申请日：2019-09-10

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔基勋 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  崔海圆 ,  李在晟 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30

摘要： 一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

公开(公告)号：CN109509699A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811075544.9

申请日：2018-09-14

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海圆 ,  姜基文 ,  崔基勋 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  李在晟 ,  林权泽 ,  金勇勲 ,  李相昊

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种无水基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。所述无水基板清洁组合物包括含氟刻蚀复合物、溶解所述刻蚀复合物的溶剂、以及作为含磷复合物的粘结剂。

公开(公告)号：CN110896043B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910852522.7

申请日：2019-09-10

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔基勋 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  崔海圆 ,  李在晟 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30

摘要： 一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

公开(公告)号：CN109244000B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201810752460.8

申请日：2018-07-10

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李梦龙 ,  曹美英 ,  延蕊林 ,  A·科里阿金

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 公开了一种基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理方法包括将含有单体物质的处理液涂覆到要清洁的基板上，通过向处理液照射光并使单体物质聚合以将处理液固化为清洁膜，并去除清洁膜。

公开(公告)号：CN110416121A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN110416121B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN110739203A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653248.0

申请日：2019-07-19

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海园 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  金度宪

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/30

摘要： 一种基板处理方法包括：通过将显影流体涂覆到经过曝光工艺和后烘工艺的基板而对所述基板执行显影工艺；将冲洗流体涂覆到经过所述显影工艺的所述基板；以及将涂覆有所述冲洗流体的所述基板移动到高压腔室且通过使用超临界流体处理所述基板。

公开(公告)号：CN109116688A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810659255.7

申请日：2018-06-25

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海圆 ,  崔基勋 ,  姜基文 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  李在晟

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/32

摘要： 本发明涉及基板处置装置和基板处置方法。基板处置装置包括第一处理室，其构造为向在基板上执行曝光处理之后被运送到第一处理室中的基板供给显影液，第二处理室，其构造为通过超临界流体处置基板，进给机械手，其构造为将基板从第一处理室递送到第二处理室；以及控制器，其构造为控制进给机械手，使得在由第一处理室供给的显影液驻留在基板上的状态下，基板被传送到第二处理室。