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公开(公告)号:CN104049461A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310757151.7
申请日:2013-11-19
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 得克萨斯A&M大学系统
CPC classification number: C08F287/00 , C08F283/14 , C08F2438/03 , C08G61/08 , C08G2261/126 , C08G2261/128 , C08G2261/135 , C08G2261/136 , C08G2261/1426 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08G2261/74 , C08G2261/76 , C08G2261/77
Abstract: 本发明公开了一种共聚物,其包含主链聚合物;和包含表面能降低的部分的第一接枝聚合物;第一接枝聚合物接枝在主链聚合物上;其中上述表面能降低的部分包含氟原子、硅原子、或氟原子和硅原子的组合。
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公开(公告)号:CN103881111A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201310757153.6
申请日:2013-11-19
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 得克萨斯A&M大学系统
CPC classification number: C08F283/14 , C08F2438/01 , C08G61/08 , C08G2261/126 , C08G2261/128 , C08G2261/135 , C08G2261/136 , C08G2261/1426 , C08G2261/145 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08G2261/74 , C08G2261/76 , C08G2261/77
Abstract: 本发明公开了包含第一嵌段聚合物和第二嵌段聚合物的接枝嵌段共聚物;上述第一嵌段聚合物包含主链聚合物和第一接枝聚合物;其中第一接枝聚合物包含表面能降低的部分;上述第二嵌段聚合物共价连接到第一嵌段;其中第二嵌段包含主链聚合物和第二接枝聚合物;其中第二接枝聚合物包含对交联所述接枝嵌段共聚物有效的官能团。
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公开(公告)号:CN103044256A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210496911.9
申请日:2012-09-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C07C67/29 , C07C69/76 , G03F7/0392
Abstract: 分子玻璃化合物包括式C(R1)2=C(R2)-O-(L)n-Ar1的芳族乙烯基醚与杯[4]芳烃的乙烯基醚加合物,其中R1和R2各自独立地为单键、H、C1-20烷基、C1-20卤烷基、C6-20芳基、C6-20卤芳基、C7-20芳烷基、或C7-20卤代芳烷基,L为C1-20连接基团,n为0或1,Ar1是含卤单环、或取代的或非取代的多环或稠合多环C6-20含芳族基团的基团,其中,当R1和R2任一个或两者为单键且n为0时,R1和R2连接到Ar1。还公开了包含所述分子玻璃化合物、溶剂、以及光致酸产生剂的光致抗蚀剂,包括(a)在其表面上具有待图案化的一个层或多个层的基材,和(b)在待图案化的一个层或多个层上的光致抗蚀剂组合物层的涂覆基材。本发明还公开了形成所述分子玻璃化合物的方法。
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公开(公告)号:CN102153695A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201010625231.3
申请日:2010-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08F220/32 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/38 , C08F220/34 , C08F220/28 , G03F7/039 , B32B27/06 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F28/02 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/38 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , C08F2220/301 , C08F220/22
Abstract: 本发明为光敏组合物。提供了可用于光刻工艺中的辐射敏感聚合物和组合物。所述聚合物和组合物提高了对激活辐射的敏感度。
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公开(公告)号:CN110531581A
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201910842301.1
申请日:2011-11-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
Abstract: 光酸发生剂。一种以式(I)所示的光酸发生剂化合物:G+Z-(I),其中G具有式(II) 其中在式(II)中,X是S或I,每个R0通常连接到X,且独立的为C1-30烷基;多环或单环C3-30环烷基;多环或单环C6-30芳基;或包括前述至少之一的组合,G具有大于263.4g/mol的分子量,或G具有小于263.4g/mol的分子量,且一个或多个R0基团进一步连接到相邻的R0基,a是2或3,其中当X是I时,a是2,或当X是S时,a是2或3,且式(I)中的Z包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺胺。光致抗蚀剂和涂敷薄膜也包括光酸发生剂和聚合物,以及使用所述光致抗蚀剂的电子设备的形成方法。
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公开(公告)号:CN104672410B
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201410455272.0
申请日:2014-09-09
Applicant: 得克萨斯A&M大学系统 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08F299/00 , C08F293/00 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/038 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C08G61/08 , C08G2261/126 , C08G2261/128 , C08G2261/136 , C08G2261/1426 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08G2261/80 , C08G2261/90 , C08L51/003 , G03F7/0002 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , C08F2220/185 , C08F220/22 , C08F2220/283
Abstract: 本发明涉及自组装结构、其制备方法以及包含该结构的制品。本发明公开了一种接枝嵌段共聚物,其含有第一嵌段聚合物和第二嵌段聚合物;所述第一嵌段聚合物含有主链聚合物和第一接枝聚合物;所述第一接枝聚合物含有包括卤代烃部分、含有硅的部分或卤代烃部分和含有硅的部分的组合的表面能降低部分;所述第二嵌段聚合物与所述第一嵌段共价结合;其中所述第二嵌段含有主链聚合物和第二接枝聚合物;所述第二接枝聚合物含有用于进行酸催化的脱保护反应的官能团,所述酸催化的脱保护反应会改变接枝嵌段共聚物在显影剂溶剂中的溶解性。
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公开(公告)号:CN104725557B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201410800170.8
申请日:2014-12-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08F220/32 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F212/08 , C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/004 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2004 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/38
Abstract: 本发明涉及光致酸生成共聚物和相关的光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法。一种共聚物,其包含源自下组的重复单元:对酸不稳定的单体;脂族、含内酯单体;(甲基)丙烯酸C1‑12烷基酯,其中C1‑12烷基包括具体的碱可溶性基团;包含脂族阴离子的光致酸生成单体;以及具有下式的中性芳族单体:其中,R1、R2、R3、X、m和Ar如本文所定义。所述共聚物用作光刻胶组合物的组分。描述了包含所述光刻胶组合物层的涂覆的基材,以及使用所述涂覆的基材形成电子器件的方法。
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公开(公告)号:CN104725555A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410818081.6
申请日:2014-12-19
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/00
Abstract: 一种共聚物,其包括源自内酯取代的单体、pKa小于或等于12的碱溶性单体、光致生酸单体和对酸不稳定的单体的重复单元,所述对酸不稳定的单体具有通式其中,R1、R2、R3和Ar如本文所定义。该共聚物可用作光刻胶组合物的组分,所述光刻胶组合物可涂覆在具有一个或多个待图案化的层的基材上,或者用于形成电子器件的方法中。
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公开(公告)号:CN102718932A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201110461847.6
申请日:2011-11-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08F293/00 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F212/34 , C08F216/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C08F216/125 , C08F216/165 , C08F216/1466
Abstract: 本发明涉及光敏共聚物和光致抗蚀剂组合物,具体涉及一种由下式所示的共聚物,其中,R1-R5独立地为H,C1-6烷基或C4-6芳基,R6为氟化或未氟化的C5-30酸可分解基团;每个Ar独立地为C6-20的单环、多环或稠合多环芳基基团;每个R7和R8独立地为-OR11或C(CF3)2OR11基团,其中,每个R11独立地为H,氟化或未氟化的C5-30酸可分解基团,或它们的组合;每个R9独立地为F,C1-10烷基,C1-10氟烷基,C1-10烷氧基或C1-10氟烷氧基;R10为含有光致产酸剂的阳离子-结合C10-40基团,摩尔分数a,b,d独立地为0-0.80,摩尔分数c为0.01-0.80,e为0-0.50,前提是a,b,d均为0时,则e大于0,摩尔分数a+b+c+d+e之和为1,l和m独立地为1-4的整数,且n为0-5的整数。一种光致抗蚀剂,以及一种涂层基材,其均包括所述共聚物。
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