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公开(公告)号：CN107146776A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710111548.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/24 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/58
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、半导体芯片和位于所述衬底与所述半导体芯片之间的抗静电芯片附连材料。所述抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨的混合物。在一种示例中，所述抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
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公开(公告)号：CN113466527B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110339248.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及具有旁路电流路径的传感器装置和所对应的生产方法。传感器装置包括导电的芯片载体以及差分磁场传感器芯片，该芯片载体包括汇流排、第一端子和第二端子，该差分磁场传感器芯片被布置在芯片载体上并具有两个传感器元件。汇流排的形状被构造为使得从第一端子穿过汇流排延伸至第二端子的测量电流路径包括主电流路径和旁路电流路径，其中主电流路径和旁路电流路径相互平行地延伸，并且流过旁路电流路径的旁路电流小于流过主电流路径的主电流。磁场传感器芯片被设置为检测由旁路电流感应的磁场。
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公开(公告)号：CN115480089A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210636924.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提出了一种带有电流轨(101)的电流传感器(100)，其具有磁场传感器(102)，磁场传感器(102)被设置为测量由流过电流轨(101)的电流感应的磁场，其中电流轨(101)与磁场传感器(102)之间布置有第一绝缘层(103)和第二绝缘层(104)，其中第一绝缘层(103)与第二绝缘层之间的界面(104)不与电流轨(101)接触和/或不与磁场传感器(102)接触。
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公开(公告)号：CN113990851A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110467289.8
申请日：2021-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有无线发射器和/或无线接收器的半导体装置。半导体装置包括半导体芯片和导电的芯片载体，其中半导体芯片安装在芯片载体上。半导体装置还包括与芯片载体机械连接的导电的扩展件，其中扩展件和芯片载体形成为一体式单件。芯片载体的、具有扩展件的一部分被设计为天线。
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公开(公告)号：CN112444660A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861799.9
申请日：2020-08-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有传感器芯片和汇流排的传感器装置。一种传感器装置包括：介电基板；与介电基板机械连接的汇流排；形成在介电基板中的腔；以及布置在腔中的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流感应出的磁场，其中在传感器芯片在汇流排上的正射投影中，传感器芯片与汇流排至少部分地重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110836855A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910753562.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了用于光声气体传感器的检测器模块，其包括：第一衬底(11；21；31；41)，其由半导体材料制成并且包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二衬底(12；22；32；42)，其包括第三表面、与所述第三表面相对的第四表面、以及形成于所述第四表面中的第一凹陷(12A；22A；32A；42A)，其中，所述第二衬底利用其第四表面连接至所述第一衬底，以使得所述第一凹陷形成填充有参考气体的气密性闭合第一单元(13；23；33；43)；以及压力敏感元件(14；24；34；44)，其包括被设置为与所述参考气体接触的膜(11.1；21.1；34.11；44.11)；其中，所述检测器模块被进一步配置为使得光脉冲束通过所述第一衬底并由此进入所述第一单元。
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公开(公告)号：CN110611027A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910526268.1
申请日：2019-06-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种电流传感器封装(100)包括电流路径(102)和感测装置(104)。所述感测装置与所述电流路径(102)间隔开，所述感测装置(104)被配置为感测由流经所述电流路径(102)的电流产生的磁场。此外，感测装置(104)包括传感器元件(106)。该感测装置(104)被电连接到导电迹线(112)。密封件(116)在所述电流路径(102)和所述感测装置(104)之间连续延伸。
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公开(公告)号：CN107036967A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611031906.5
申请日：2016-11-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01N21/1702 , A61B5/0095 , A61B2562/0204 , G01N29/032 , G01N29/222 , G01N29/2418 , G01N29/48 , G01N33/0009 , G01N2021/1704 , G01N2291/021 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L25/167
Abstract: 光声气体传感器包括：衬底；由所述衬底支撑的光发射器单元，所述光发射器单元包括光发射器，所述光发射器被配置用来发射具有预定的重复频率和波长的光脉冲的光束，所述预定的重复频率和波长相应于待被感测的气体的吸收带；以及由所述衬底支撑的检测器单元，所述检测器单元包括微音器，其中，所述光脉冲的光束穿过旨在容纳所述气体的区域，所述微音器能够接收以所述重复频率振荡的信号。
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公开(公告)号：CN113460947B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110243145.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据本公开的各实施例涉及传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。一种传感器封装件包括：MEMS传感器芯片；被布置在MEMS传感器芯片的第一主面上方的盖部，该盖部由模塑料制成；以及延伸穿过盖部的电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在盖部上方的电路板电耦连。
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公开(公告)号：CN116889967A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310344890.7
申请日：2023-04-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种超声换能器。提出一种超声换能器(910)，具有：至少一个超声换能器元件；至少一个半导体芯片(911)，其中半导体芯片(911)具有超声换能器元件；至少一个壳体(912)，其中半导体芯片(911)布置在壳体(912)中，其中半导体芯片(911)嵌入形状稳定的包封体(913)中，其中包封体(913)的接触面(914)设置用于将超声换能器(910)声耦合到面板(920)。还提出了一种超声换能器系统和一种用于安装超声换能器或超声换能器系统的方法。
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