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公开(公告)号：CN101901853A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010183207.9
申请日：2010-05-26
IPC: H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/022425 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供集成薄膜太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下步骤：准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻，以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
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公开(公告)号：CN100570903C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680008251.8
申请日：2006-03-16
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。
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公开(公告)号：CN101281365A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810091611.6
申请日：2008-04-04
Applicant: 韩国科学技术院
CPC classification number: C09K19/544 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明涉及一种物质图形、使用该物质图形的模具、金属薄膜图形、金属图形及其形成方法，本发明物质图形形成方法包括：步骤(a)，在基板上涂布感光性物质并形成感光性物质薄膜；步骤(b)，在所述感光性薄膜上确定曝光区域；步骤(c)，在曝光到所述感光性物质薄膜的光的传输路径上，放置光折射膜和光扩散膜；步骤(d)，将通过所述光折射膜和所述光扩散膜的光照射到所述感光性物质薄膜的所述曝光区域并形成物质图形。通过本发明的物质图形形成方法，可以更容易地形成具有各种倾斜度及形状的三维非对称结构的物质图形，并且进一步通过该物质图形形成模具、金属薄膜图形和金属图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983568B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610165858.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法。其方法主要包括在一基底上制造并成型一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；在合成基底上制成一太阳能电池(半导体)层；倾斜沉积第一透明导电材料于该太阳能电池层之上；然后用该第一透明导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；倾斜沉积一第二透明导电材料于合成基底之上，然后使之通过第一透明导电材料与导电材料相电连。
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公开(公告)号：CN101562219A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910135641.7
申请日：2006-03-16
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。
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公开(公告)号：CN100536118C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610165854.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: B29D11/00 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/0468 , H01L31/188 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种透视式集成太阳能电池及其制造方法，其步骤包括：冶成一个相分开并呈带状的第一导电材料并置于透明基底之上，以使第一导电材料包含一个预定空间以供光线可直接穿过该透明基底；冶成一太阳能电池(半导体)层，斜沉积第二导电材料并用该第二导电材料层作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；按照本步骤就可以制成透视式集成太阳能电池。本发明还同时涉及其电池单元间电串联的方法，工艺简单，制作容易，成本低，具有广泛市场前景。
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公开(公告)号：CN101371573A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780001139.6
申请日：2007-03-20
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H04N5/74
CPC classification number: H04N3/08 , H04N5/7458 , H04N9/3152
Abstract: 本发明的目的在于，在利用微镜或图像显示部件的显示装置中消除因像素区分或者黑色矩阵等的使用而发生的阴影区，提高光利用率而显示高品质影像的同时，进一步改善功耗，其中一实施例提供一种利用微透镜阵列的显示装置，包括：光源；微镜阵列，排列设置有多个微镜，用于反射从光源入射的入射光；以及微透镜阵列，在光源和微镜阵列之间排列设置有多个微透镜，将入射光汇聚到一个微镜，补偿从微镜阵列反射的反射光的路径。
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公开(公告)号：CN101167161A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680012357.5
申请日：2006-11-06
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/201 , G03F7/70291 , G03F7/70308 , G03F7/7035 , G03F7/70383 , Y10T428/24802
Abstract: 一种在基板上制造聚合物或抗蚀剂图案的方法，包括在基板上涂敷光敏聚合物或抗蚀剂以形成聚合物或抗蚀剂层，确定聚合物或抗蚀剂层需要曝光的部分，将光调节层放置在照射于聚合物或抗蚀剂层上的光的光路上，并调节光调节层以调节照射于聚合物或抗蚀剂层上的光的方向或强度。根据该方法，通过在实行光刻工艺时调节入射光的方向和强度，很容易制造分别具有三维结构的聚合物或抗蚀剂图案、金属膜图案、金属图案结构以及聚合物模具，所述结构具有多种斜度或形状。
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